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一种碳掺杂砷化镓多晶及其制备方法、制备碳掺杂砷化镓多晶的设备与流程

2025-12-07 16:20:07 357次浏览

技术特征:

1.一种碳掺杂砷化镓多晶,其特征在于,其碳浓度为(0.2~2)×1015atoms/cm3;

2.根据权利要求1所述的碳掺杂砷化镓多晶,其特征在于,所述碳掺杂砷化镓多晶中的其余杂质之和小于100ppb。

3.根据权利要求1或2所述的碳掺杂砷化镓多晶,其特征在于,所述碳掺杂砷化镓多晶的载流子浓度为(1~60)×106cm3;

4.一种制备权利要求1~3任一项所述碳掺杂砷化镓多晶的设备,其特征在于,包括多晶合成炉和设置在多晶合成炉内部的阶梯状石英管;

5.根据权利要求4所述的设备,其特征在于,所述空心圆柱石英坩埚的外径为76~150mm,内径为10~20mm;

6.根据权利要求4所述的设备,其特征在于,所述锥部镂空的石英坩埚的直径为所述空心圆柱石英坩埚外径的1.2~1.5倍。

7.一种碳掺杂砷化镓多晶的制备方法,其特征在于,采用权利要求4~6任一项所述的设备进行,具有以下步骤:

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述步骤4)中垂直梯度冷凝法的具体条件为:

9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述步骤3)中的加热的温度为1240℃~1250℃;

10.一种砷化镓单晶,其特征在于,由权利要求1~3任一项所述的碳掺杂砷化镓多晶或权利要求7~9任一项所述的制备方法制备得到的碳掺杂砷化镓多晶制备得到。


技术总结
本发明公开了一种碳掺杂砷化镓多晶及其制备方法、制备碳掺杂砷化镓多晶的设备,属于材料技术领域。所述碳掺杂砷化镓多晶,其碳浓度为(0.2~2)×1015atoms/cm3;所述碳掺杂砷化镓多晶具有空心圆柱结构;所述空心圆柱结构的外径为76~150mm,内径为10~20mm;所述空心圆柱结构的高度为200~400mm。所述碳掺杂砷化镓多晶具有较高的载流子浓度、电阻率以及良好的电性能均匀性,使用其作为砷化镓单晶的原料能制备得到电性能分布均匀、位错密度小的砷化镓单晶。本发明所述的碳掺杂砷化镓多晶的制备方法显著提高了砷化镓多晶的生产效率,实现了一次制备工艺下,砷化镓多晶重量增加100%以上。

技术研发人员:王金灵,罗小龙,易明辉
受保护的技术使用者:广东先导微电子科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/21
文档序号 : 【 40071471 】

技术研发人员:王金灵,罗小龙,易明辉
技术所有人:广东先导微电子科技有限公司

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王金灵罗小龙易明辉广东先导微电子科技有限公司
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