一种封装器件的设计方法以及封装器件与流程

本公开实施例涉及半导体封装领域，尤其涉及一种封装器件的设计方法以及封装器件。

背景技术：

1、随着封装工艺的不断发展，晶圆级封装(wafer level package，wlp)因具有良好的重复性，较短的封装周期等优点，使其成为了封装业内的主流趋势。

2、目前的wlp工艺中，一般采用两层干膜分别制备支撑结构和顶盖结构，以形成用以封装半导体器件的封装结构。其中，支撑结构和顶盖结构均需具备一定的抗模压能力。如此，才能使得半导体器件在后续的药液侵蚀、水汽侵蚀以及模压塑封等工序中不会受到外界的破坏。

3、然而，对于现有的wlp封装器件，当顶盖结构受到的压力逐步增大至6mpa或更高时，顶盖结构会出现塌陷，并且塌陷的顶盖结构与半导体器件直接接触，从而导致半导体器件失效。

4、基于此，本公开实施例提供一种封装器件的设计方法以及封装器件，以提高支撑结构与顶盖结构之间的结构稳定性，从而提升封装器件的抗模压能力。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供一种封装器件的设计方法以及封装器件。

2、为达到上述目的，本公开的技术方案是这样实现的：

3、第一方面，本公开实施例提供一种封装器件的设计方法，封装器件包括半导体器件和封装结构，所述封装结构包括支撑结构和顶盖结构；所述方法包括：根据所述封装器件的结构参数建立仿真模型；基于所述仿真模型对所述顶盖结构的形变量进行仿真；获取在所述形变量的第一目标区间下的第一仿真结果；根据所述第一仿真结果对所述封装器件的所述结构参数进行调整。

4、在一些实施例中，所述结构参数包括第一结构参数，所述第一结构参数至少包括以下之一：所述半导体器件的第一尺寸、所述顶盖结构的尺寸和所述顶盖结构的材料参数。

5、在一些实施例中，所述基于所述仿真模型对所述顶盖结构的形变量进行仿真，包括：

6、基于所述仿真模型得到所述第一结构参数和所述顶盖结构的形变量的对应关系；

7、所述获取在所述形变量的第一目标区间下的第一仿真结果，包括：

8、根据所述第一结构参数和所述顶盖结构的形变量的对应关系，获取在所述形变量的第一目标区间下的所述第一结构参数的设置区间。

9、在一些实施例中，所述第一结构参数包括所述顶盖结构的尺寸的情况下；所述获取在所述形变量的第一目标区间下的第一仿真结果，包括：

10、根据所述顶盖结构的尺寸和所述顶盖结构的形变量的对应关系，获取在所述形变量的第一目标区间下的所述顶盖结构的尺寸的设置区间。

11、在一些实施例中，所述第一结构参数包括所述顶盖结构的材料参数的情况下；所述获取在所述形变量的第一目标区间下的第一仿真结果，包括：

12、根据所述顶盖结构的材料参数和所述顶盖结构的形变量的对应关系，获取在所述形变量的第一目标区间下的所述顶盖结构的材料参数的设置区间。

13、在一些实施例中，所述第一结构参数包括所述半导体器件的第一尺寸的情况下；所述获取在所述形变量的第一目标区间下的第一仿真结果，包括：

14、根据所述半导体器件的第一尺寸和所述顶盖结构的形变量的对应关系，获取在所述形变量的第一目标区间下的所述半导体器件的第一尺寸的设置区间。

15、在一些实施例中，所述根据所述第一仿真结果对所述封装器件的所述结构参数进行调整，包括：

16、根据所述第一仿真结果对所述封装器件的所述第一结构参数进行调整。

17、在一些实施例中，所述结构参数还包括第二结构参数，所述第二结构参数至少包括以下之一：所述支撑结构的尺寸、所述半导体器件的第二尺寸、所述半导体器件与所述顶盖结构间的距离。

18、在一些实施例中，所述获取在所述形变量的第一目标区间下的第一仿真结果之前，所述方法还包括：

19、根据所述第二结构参数确定所述形变量的第一目标区间。

20、在一些实施例中，所述获取在所述形变量的第一目标区间下的第一仿真结果之后，所述方法还包括：

21、调整所述第二结构参数；

22、根据调整后的所述第二结构参数确定所述形变量的第二目标区间；

23、获取在所述形变量的第二目标区间下的第二仿真结果。

24、在一些实施例中，根据所述第一仿真结果对所述封装器件的所述结构参数进行调整，包括：

25、根据所述第一仿真结果和所述第二仿真结果，对所述封装器件的所述第一结构参数进行调整。

26、在一些实施例中，所述顶盖结构的材料包括干膜材料。

27、在一些实施例中，所述顶盖结构的材料的杨氏模量小于10gpa。

28、第二方面，本公开实施例提供一种封装器件，包括：半导体器件和封装结构；其中，

29、所述半导体器件位于所述封装结构内，且具有第一尺寸参数；

30、所述封装结构包括支撑结构和顶盖结构；所述顶盖结构具有第二尺寸参数和材料参数；

31、其中，所述第一尺寸参数、所述第二尺寸参数和所述材料参数中的两两之间均满足预设关系；在所述预设关系下，所述顶盖结构的形变量的值处于目标区间内。

32、本公开实施例提供了一种封装器件的设计方法，封装器件包括半导体器件和封装结构，所述封装结构包括支撑结构和顶盖结构；所述方法包括：根据所述封装器件的结构参数建立仿真模型；基于所述仿真模型对所述顶盖结构的形变量进行仿真；获取在所述形变量的第一目标区间下的第一仿真结果；根据所述第一仿真结果对所述封装器件的所述结构参数进行调整。本公开实施例中，通过建立封装器件的仿真模型，基于仿真模型获取形变量的第一目标区间下的第一仿真结果，并根据第一仿真结果对封装器件的结构参数进行调整，如此，实现了针对不同的半导体器件，设计合理的封装结构，以增强了封装器件的抗模压能力。

1.一种封装器件的设计方法，封装器件包括半导体器件和封装结构，所述封装结构包括支撑结构和顶盖结构；其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述结构参数包括第一结构参数，所述第一结构参数至少包括以下之一：所述半导体器件的第一尺寸、所述顶盖结构的尺寸和所述顶盖结构的材料参数。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述仿真模型对所述顶盖结构的形变量进行仿真，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一结构参数包括所述顶盖结构的尺寸的情况下；所述获取在所述形变量的第一目标区间下的第一仿真结果，包括：

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一结构参数包括所述顶盖结构的材料参数的情况下；所述获取在所述形变量的第一目标区间下的第一仿真结果，包括：

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一结构参数包括所述半导体器件的第一尺寸的情况下；所述获取在所述形变量的第一目标区间下的第一仿真结果，包括：

7.根据权利要求2至6任一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一仿真结果对所述封装器件的所述结构参数进行调整，包括：

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述结构参数还包括第二结构参数，所述第二结构参数至少包括以下之一：所述支撑结构的尺寸、所述半导体器件的第二尺寸、所述半导体器件与所述顶盖结构间的距离。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述获取在所述形变量的第一目标区间下的第一仿真结果之前，所述方法还包括：

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述获取在所述形变量的第一目标区间下的第一仿真结果之后，所述方法还包括：

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，根据所述第一仿真结果对所述封装器件的所述结构参数进行调整，包括：

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述顶盖结构的材料包括干膜材料。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述顶盖结构的材料的杨氏模量小于10gpa。

14.一种封装器件，其特征在于，包括：半导体器件和封装结构；其中，