电子设备、电子元器件、声表面波谐振器及其基底和制备方法与流程
技术特征：
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述基底具有面向所述压电层的基底上表面，所述基底上表面设有与所述电极指主区域对应设置的第一凹槽；所述第一调速介质设于所述第一凹槽内；所述第一调速介质的声阻抗大于所述压电层的声阻抗。
3.根据权利要求2所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一调速介质的厚度处于10nm～40nm范围内。
4.根据权利要求2所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述电极指边缘区域沿第一方向的宽度处于0.2λ～2.0λ范围内，其中，λ为所述声表面波谐振器的波长。
5.根据权利要求2～4任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述基底包括poi衬底；所述第一凹槽设于所述poi衬底上；
6.根据权利要求1至4任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第二调速介质的密度大于所述压电层的密度。
7.根据权利要求6所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第二调速介质的厚度处于10nm～160nm范围内；
8.根据权利要求6所述的声表面波谐振器，其特征在于，每个所述间隙区域具有多个所述第二调速介质；所述多个第二调速介质沿所述第一方向间隔设置；
9.根据权利要求8所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述基底包括poi衬底；所述第二凹槽设于所述poi衬底上；
10.一种声表面波谐振器基底，其特征在于，所述声表面波谐振器基底包括电极指区域以及间隙区域；所述电极指区域包括电极指主区域、以及沿第一方向位于所述电极指主区域两侧的电极指边缘区域；沿所述第一方向，所述电极指区域的两侧均设有所述间隙区域；
11.根据权利要求10所述的声表面波谐振器基底，其特征在于，所述基底上表面设有与所述电极指主区域对应设置的第一凹槽；所述第一调速介质设于所述第一凹槽内；
12.根据权利要求10所述的声表面波谐振器基底，其特征在于，所述基底上表面设有第二凹槽，所述第二调速介质至少部分设于所述第二凹槽；
13.一种电子元器件，其特征在于，包括一个或多个权利要求1至9任一项所述的声表面波谐振器。
14.一种电子设备，其特征在于，包括：
15.一种声表面波谐振器的制备方法，其特征在于，所述声表面波谐振器包括电极指区域以及间隙区域；所述电极指区域包括电极指主区域、以及沿第一方向位于所述电极指主区域两侧的电极指边缘区域；沿所述第一方向，所述电极指区域的两侧均设有所述间隙区域；
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
技术总结
本申请提供一种电子设备、电子元器件、声表面波谐振器及其基底和制备方法。声表面波谐振器包括基底；压电层；叉指换能器；叉指换能器包括两个沿第一方向相对设置的叉指电极，每个叉指电极包括母线以及多个电极指；两个叉指电极的电极指沿第一方向重叠的区域为电极指区域；电极指区域包括电极指主区域、以及沿第一方向位于电极指主区域两侧的电极指边缘区域；一个叉指电极的电极指与另一叉指电极的母线间隔的区域为间隙区域；调速介质，位于压电层的面向基底的一侧，包括与电极指主区域对应设置的第一调速介质和/或位于间隙区域的第二调速介质，使得电极指主区域的声表面波传播速度大于电极指边缘区域的声表面波传播速度。
技术研发人员：谢尔盖·巴苏库
受保护的技术使用者：无锡芯卓湖光半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/18
技术研发人员：谢尔盖·巴苏库
技术所有人：无锡芯卓湖光半导体有限公司
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