高度可调式的磁悬浮限位柱及半导体设备的制作方法

本发明属于半导体制造，更具体地说，是涉及一种高度可调式的磁悬浮限位柱及半导体设备。

背景技术：

1、在半导体行业中，快速加热退火工艺（rtp）是应用比较广泛的，特别是常规退火（soak）工艺和尖峰退火（spike）工艺等。在rtp设备中，晶圆到反射板的距离是一个非常重要的工艺参数，而影响晶圆到反射板之间的距离主要涉及支撑环、磁悬浮转子以及磁悬浮定子的高度，其中，磁悬浮定子的高度将直接影响磁悬浮转子的高度，从而影响到支撑环以及晶圆的高度。因此，控制好磁悬浮定子的高度，将直接影响到晶圆与反射板的高度。半导体设备的磁悬浮定子的高度调整一直以来都是一个难点，装配难，调整高度难，调整水平度难，而且非常耗时。目前，常采用的调节方法是先进行测算晶圆与反射板之间的距离，计算与设计标准值的差值，计算完成后，再在腔体于磁悬浮定子之间增加相应厚度的垫片。由于设备重量较大，操作不便，增加垫片困难，垫片容易脱落，并且厚度不方便确认，厚度一致性差。

技术实现思路

1、本发明实施例的目的在于提供一种高度可调式的磁悬浮限位柱及半导体设备，旨在解决上述现有技术中磁悬浮定子的调整不便，且调整后厚度一致性差的缺陷。

2、为实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种高度可调式的磁悬浮限位柱，设置于半导体设备的腔体与磁悬浮定子之间，用于调节腔体与磁悬浮定子之间的距离，高度可调式的磁悬浮限位柱包括第一柱体和第二柱体，第一柱体和第二柱体螺纹连接，第一柱体的上表面与腔体抵接，第二柱体的下表面与磁悬浮定子抵接。

3、可选地，第一柱体为螺纹杆，第二柱体为螺旋套筒，螺旋套筒内部螺纹连接螺纹杆。

4、可选地，螺纹杆和螺旋套筒为圆柱体。

5、可选地，螺纹杆靠近腔体的一端沿其径向设有限位凸缘。

6、可选地，螺旋套筒的外部沿周向设置有刻度线，刻度线为高度调整尺寸，限位凸缘上设有与刻度线对应的对准线。

7、可选地，限位凸缘的半径与螺旋套筒的半径相同。

8、可选地，刻度线的调整精度为0.001mm。

9、可选地，刻度线的高度调整范围为0.001mm到1.5mm。

10、可选地，第一柱体设有穿设孔。

11、根据本发明的另一个方面，提供了一种半导体设备，包括如上述所述的高度可调式的磁悬浮限位柱。

12、本发明提供的高度可调式的磁悬浮限位柱的有益效果在于：与现有技术相比，在半导体设备的腔体与磁悬浮定子之间设置有高度可调式的磁悬浮限位柱，该磁悬浮限位柱设置有螺纹连接的第一柱体和第二柱体，通过旋拧第一柱体或第二柱体使磁悬浮限位柱伸长或缩短来控制磁悬浮限位柱的高度，以调节磁悬浮定子与腔体之间的距离，进而通过磁悬浮定子控制磁悬浮转子的高度，从而控制晶圆到反射板之间的距离。通过控制磁悬浮定子与腔体之间的距离，实现调整晶圆到反射板之间距离，该磁悬浮限位柱的结构简单，易装配，可实现快速且精确地调整，以及方便确认调整高度，保证高度的一致性。

1.一种高度可调式的磁悬浮限位柱，其特征在于，设置于半导体设备的腔体与磁悬浮定子之间，用于调节所述腔体与所述磁悬浮定子之间的距离，所述高度可调式的磁悬浮限位柱包括第一柱体和第二柱体，所述第一柱体和所述第二柱体螺纹连接，所述第一柱体的上表面与所述腔体抵接，所述第二柱体的下表面与所述磁悬浮定子抵接。

2.根据权利要求1所述的高度可调式的磁悬浮限位柱，其特征在于，所述第一柱体为螺纹杆，所述第二柱体为螺旋套筒，所述螺旋套筒内部螺纹连接所述螺纹杆。

3.根据权利要求2所述的高度可调式的磁悬浮限位柱，所述螺纹杆和所述螺旋套筒为圆柱体。

4.根据权利要求2所述的高度可调式的磁悬浮限位柱，其特征在于，所述螺纹杆靠近所述腔体的一端沿其径向设有限位凸缘。

5.根据权利要求4所述的高度可调式的磁悬浮限位柱，其特征在于，所述螺旋套筒的外部沿周向设置有刻度线，所述刻度线为高度调整尺寸，所述限位凸缘上设有与所述刻度线对应的对准线。

6.根据权利要求5所述的高度可调式的磁悬浮限位柱，其特征在于，所述限位凸缘的半径与所述螺旋套筒的半径相同。

7.根据权利要求5所述的高度可调式的磁悬浮限位柱，其特征在于，所述刻度线的调整精度为0.001mm。

8.根据权利要求5所述的高度可调式的磁悬浮限位柱，其特征在于，所述刻度线的高度调整范围为0.001mm到1.5mm。

9.根据权利要求1所述的高度可调式的磁悬浮限位柱，所述第一柱体设有穿设孔。

10.一种半导体设备，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的高度可调式的磁悬浮限位柱。