一种高可靠性的通孔型垂直LED芯片及其制作方法与流程

1.一种高可靠性的通孔型垂直led芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高可靠性的通孔型垂直led芯片，其特征在于：所述图形化所述绝缘结构还形成裸露所述沟道的部分底部的第二通孔，所述金属键合层填充所述第二通孔，所述切割道显露所述第二通孔内的部分金属键合层，以使所述绝缘结构不在所述切割道的垂直投影范围内。

3.根据权利要求1所述的高可靠性的通孔型垂直led芯片，其特征在于：在所述切割道与各子外延叠层之间设置围坝，且所述围坝通过隔离槽与对应的子外延叠层间隔，所述隔离槽裸露部分所述绝缘结构的表面，所述围坝围绕对应的所述子外延叠层。

4.根据权利要求1所述的高可靠性的通孔型垂直led芯片，其特征在于：所述绝缘结构包括介质膜层和绝缘保护层，所述介质膜层设置于所述第二型半导体层的部分表面，并延伸至所述凹槽的侧壁、所述凹槽的部分底部、所述沟道的侧壁及所述沟道的部分底部，且所述介质膜层包括介质通孔，所述介质通孔显露部分所述第二型半导体层，所述欧姆反射层通过所述介质通孔与所述第二型半导体层形成电连接；

5.根据权利要求4所述的高可靠性的通孔型垂直led芯片，其特征在于：在所述凹槽和所述沟道的转角处的介质膜层表面设置缓冲金属，且所述缓冲金属通过所述绝缘保护层与所述集成金属层、所述金属键合层间隔设置。

6.一种高可靠性的通孔型垂直led芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：

7.根据权利要求6所述的高可靠性的通孔型垂直led芯片的制作方法，其特征在于：所述图形化所述绝缘结构还形成裸露所述沟道的部分底部的第二通孔，所述金属键合层填充所述第二通孔，所述切割道显露所述第二通孔内的部分金属键合层，以使所述绝缘结构不在所述切割道的垂直投影范围内。

8.根据权利要求6所述的高可靠性的通孔型垂直led芯片的制作方法，其特征在于：通过刻蚀所述切割道与各子外延叠层之间的部分所述外延叠层，在所述切割道与各子外延叠层之间形成围坝，且所述围坝通过隔离槽与对应的子外延叠层间隔，所述隔离槽裸露部分所述绝缘结构的表面，所述围坝围绕对应的所述子外延叠层。

9.根据权利要求6所述的高可靠性的通孔型垂直led芯片的制作方法，其特征在于：所述绝缘结构包括介质膜层和绝缘保护层，所述介质膜层设置于所述第二型半导体层的部分表面，并延伸至所述凹槽的侧壁、所述凹槽的部分底部、所述沟道的侧壁及所述沟道的部分底部，且所述介质膜层包括介质通孔，所述介质通孔显露部分所述第二型半导体层，所述欧姆反射层通过所述介质通孔与所述第二型半导体层形成电连接；

10.根据权利要求9所述的高可靠性的通孔型垂直led芯片的制作方法，其特征在于：在所述凹槽和所述沟道的转角处的介质膜层表面设置缓冲金属，且所述缓冲金属通过所述绝缘保护层与所述集成金属层、所述金属键合层间隔设置。