集成电阻器的制作方法
技术特征：
1.一种集成电阻器，所述集成电阻器包括：
2.根据权利要求1所述的集成电阻器，其中所述侧向延伸的电阻器主体具有至少0.5μm的竖直厚度。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的集成电阻器，其中所述电阻元件具有狗骨头形状。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的集成电阻器，其中所述共形金属包括钨。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的集成电阻器，其中所述电阻元件包含镍铬、氮化钽、硅铬、碳化硅铬或氮化钛。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的集成电阻器，所述集成电阻器包括一对电阻器头连接元件，所述一对电阻器头连接元件形成在金属互连层中并且导电地连接到所述一对电阻器头。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的集成电阻器，其中所述集成电阻器形成在浅沟槽绝缘(sti)场氧化物区与金属互连层之间。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的集成电阻器，其中所述集成电阻器形成在多晶硅层与金属互连层之间。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的集成电阻器，其中所述集成电阻器形成在两个金属互连层之间。
10.一种集成电路(ic)器件，所述ic器件包括：
11.根据权利要求10所述的ic器件，其中所述ic结构包括晶体管结构，并且所述竖直延伸的接触件包括晶体管栅极接触件。
12.根据权利要求10所述的ic器件，其中所述ic结构包括互连结构，并且所述竖直延伸的接触件包括互连通孔。
13.根据权利要求10所述的ic器件，其中：
14.根据权利要求10所述的ic器件，所述ic器件包括(a)一对电阻器头连接元件和(b)形成在公共金属层中的ic器件连接元件；
15.一种方法，所述方法包括：
16.根据权利要求15所述的方法，所述方法包括将所述电阻器盆开口形成为具有至少0.75μm的竖直深度。
17.根据权利要求16所述的方法，所述方法包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其中：
19.根据权利要求17所述的方法，所述方法包括在所述平坦化工艺之后，形成金属层，所述金属层包括：(a)一对电阻器头连接元件，所述一对电阻器头连接元件导电地连接到所述一对电阻器头连接元件；和(b)ic器件连接元件，所述ic器件连接元件导电地连接到所述接触件。
20.一种装置，所述装置通过根据权利要求15至19中所述的方法中的任一种方法形成。
技术总结
本公开提供一种集成电阻器，该集成电阻器包括电阻器盆、电阻元件和电介质衬垫。该电阻器盆由共形金属形成，并且包括侧向延伸的盆基部和从该侧向延伸的盆基部向上延伸的竖直延伸的盆侧壁，其中该侧向延伸的盆基部和该竖直延伸的盆侧壁限定电阻器盆内部开口。该电介质衬垫形成在该电阻器盆内部开口中。该电阻元件形成在该电阻器盆内部开口中的该电介质衬垫上方，并且包括由侧向延伸的电阻器主体连接的一对电阻器头。该电介质衬垫使该电阻元件与该电阻器盆电绝缘。
技术研发人员：冷耀俭
受保护的技术使用者：微芯片技术股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/2
技术研发人员：冷耀俭
技术所有人：微芯片技术股份有限公司
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