一种多工位晶圆量检测设备的制作方法

本技术涉及一种多工位晶圆量检测设备，属于半导体设备。

背景技术：

1、晶圆量检测设备可细分为检测和量测两大环节。检测是指在晶圆表面上或电路结构中，检测其是否出现异质情况，如颗粒污染、表面划伤、开短路等对芯片工艺性能具有不良影响的特征性结构缺陷。量测是指对被观测的晶圆电路上的结构尺寸和材料特性做出的量化描述，如薄膜厚度、关键尺寸、刻蚀深度、表面形貌等物理性参数的量测。量检测设备贯穿晶圆制造的工艺过程，以实现对重要环节的良率监控。

2、现有的晶圆量检测设备工艺过程通常是，晶圆从设备前端模块(efem)通过大气机械手传送到预抽真空腔室，然后关闭预抽真空腔室与设备前端模块和工艺腔室之间的真空阀门，抽真空至真空度与工艺腔室基本相同，然后打开预抽真空腔室与工艺腔室之间的真空阀门，使两腔室连通，再通过设置在工艺腔室的真空机械手将晶圆传送到检测工作台。前述时间皆为等候时间，对工作效率造成极大地影响。

3、同时，目前的晶圆量检测设备都是一台设备仅有一个工位。而对于不同的量测与检测需求，则需要增加多种机台，而不能在同一机台上完成。这样既增加了整个晶圆的工艺流转时间，又增加了工厂设备的占地空间，从而增加生产成本。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种多工位晶圆量检测设备，该设备结构设计更加合理、紧凑、灵活，节省了设备占地面积，减少了整个晶圆的工艺流转时间，提高了量测和检测的工作效率；可以自行选择每个工位的功能，增加的工艺腔室还可以提高单位时间内的量测或检测效率。

2、本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

3、一种多工位晶圆量检测设备，包括：

4、工艺腔室，其内部呈真空状态且设置有检测工作台；

5、中转腔室，其连接若干个所述工艺腔室；以及

6、预抽真空腔室，若干个所述预抽真空腔室与所述中转腔室连接；

7、其中，所述预抽真空腔室与所述中转腔室之间、所述中转腔室与所述工艺腔室之间通过真空阀门连通。

8、在本实用新型的一种实施方式中，所述检测工作台可移动地设于所述工艺腔室内，其以顶面承载晶圆且能够沿正交的三方向平移。

9、在本实用新型的一种实施方式中，所述中转腔室内设置有真空机械手，所述真空机械手配置成将所述预抽真空腔室内的晶圆与所述检测工作台承载的晶圆进行传输与交换。

10、在本实用新型的一种实施方式中，还包括与若干个所述预抽真空腔室连接的设备前端模块。

11、在本实用新型的一种实施方式中，所述预抽真空腔室在一侧处经由真空阀门与所述中转腔室连通，且在相反侧经由真空阀门与所述设备前端模块连通。

12、在本实用新型的一种实施方式中，所述中转腔室为多边形结构，其一边通过若干个所述预抽真空腔室与所述设备前端模块连接，其余边分别连接所述工艺腔室。

13、本实用新型的有益效果为：

14、本实用新型提供的一种多工位晶圆量检测设备的结构设计更加合理、紧凑、灵活，节省了设备占地面积。该设备通过增加中转腔室，可减少晶圆传输到工艺腔室后腔室恢复工作条件的时间，减少了整个晶圆的工艺流转时间，提高了量测和检测的工作效率。并且，该设备采用模块化设计，其中转腔室设置为多边形结构，中转腔室的一边通过若干个预抽真空腔室与设备前端模块连接，其余边分别连接工艺腔室，通过此种设置可实现多个量测或检测工位，可自行选择每个工位的功能，此外增加的工艺腔室还可以提高单位时间内的量测或检测效率。

1.一种多工位晶圆量检测设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多工位晶圆量检测设备，其特征在于，所述检测工作台(5)可移动地设于所述工艺腔室(4)内，其以顶面承载晶圆且能够沿正交的三方向平移。

3.根据权利要求2所述的多工位晶圆量检测设备，其特征在于，所述中转腔室(3)内设置有真空机械手(6)，所述真空机械手(6)配置成将所述预抽真空腔室(2)内的晶圆与所述检测工作台(5)承载的晶圆进行传输与交换。

4.根据权利要求1所述的多工位晶圆量检测设备，其特征在于，还包括与若干个所述预抽真空腔室(2)连接的设备前端模块(1)。

5.根据权利要求4所述的多工位晶圆量检测设备，其特征在于，所述预抽真空腔室(2)在一侧处经由真空阀门(7)与所述中转腔室(3)连通，且在相反侧经由真空阀门(7)与所述设备前端模块(1)连通。

6.根据权利要求4所述的多工位晶圆量检测设备，其特征在于，所述中转腔室(3)为多边形结构，其一边通过若干个所述预抽真空腔室(2)与所述设备前端模块(1)连接，其余边分别连接所述工艺腔室(4)。