半导体装置的制造方法与流程

本发明的实施方式之一涉及半导体装置的制造方法。尤其是，本发明的实施方式之一涉及使用了氧化物半导体作为沟道的半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、近年来，取代非晶硅、多晶硅及单晶硅而将氧化物半导体用于沟道的半导体装置的开发不断发展(例如专利文献1～6)。使用了氧化物半导体的半导体装置与在沟道使用了非晶硅的半导体装置同样地能够以简单的构造且通过低温工艺来形成。已知在沟道使用了氧化物半导体的半导体装置相较于在沟道使用了非晶硅的半导体装置而言，具有高的场效应迁移率。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2021-141338号公报

5、专利文献2：日本特开2014-099601号公报

6、专利文献3：日本特开2021-153196号公报

7、专利文献4：日本特开2018-006730号公报

8、专利文献5：日本特开2016-184771号公报

9、专利文献6：日本特开2021-108405号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、作为上述的氧化物半导体，能够使用非晶半导体及具有结晶性的半导体中的任一种。尤其是，具有结晶性的半导体相较于非晶半导体而言，具有不易形成氧缺损这样的优点。因此，近年来，使用了具有结晶性的氧化物半导体的半导体装置的开发受到关注。使用了具有结晶性的氧化物半导体的半导体装置的特性会根据沟道部分的结晶性而大幅变化，因此亟待确立用于形成结晶性良好的氧化物半导体的工艺。

3、本发明的实施方式之一的一个课题在于，提供可靠性及场效应迁移率高的半导体装置的制造方法。

4、用于解决课题的手段

5、本发明的一实施方式涉及的半导体装置的制造方法包括：在基板之上利用溅射法来形成氧化物半导体层，将形成有所述氧化物半导体层的基板设置在具有预先维持在设定温度的加热介质的加热炉中，对所述氧化物半导体层进行第一加热处理，在所述第一加热处理之后，在所述氧化物半导体层之上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层之上形成栅电极，其中，在将所述基板设置于所述加热炉中时，将所述加热介质的温度降低抑制在所述设定温度的15％以内。

6、本发明的一实施方式涉及的半导体装置的制造方法包括：在基板之上形成栅电极，在所述栅电极之上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层之上利用溅射法来形成氧化物半导体层，将形成有所述氧化物半导体层的基板设置于具有预先维持在设定温度的加热介质的加热炉中，对所述氧化物半导体层进行加热处理，其中，在将所述基板设置于所述加热炉中时，将所述加热介质的温度降低抑制在所述设定温度的15％以内。

1.半导体装置的制造方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

5.半导体装置的制造方法，其包括：

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

8.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，

9.根据权利要求1或5所述的半导体装置的制造方法，其中，

10.根据权利要求1或5所述的半导体装置的制造方法，其中，

11.根据权利要求1或5所述的半导体装置的制造方法，其中，

12.根据权利要求1或5所述的半导体装置的制造方法，其中，

13.根据权利要求1或5所述的半导体装置的制造方法，其中，

14.根据权利要求1或5所述的半导体装置的制造方法，其中，

15.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其中，

16.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其中，

17.根据权利要求1或5所述的半导体装置的制造方法，其中，

18.根据权利要求1或5所述的半导体装置的制造方法，其中，