膜状黏合剂、黏合膜、切割晶粒接合一体型膜及半导体装置的制造方法与流程

本发明有关一种膜状黏合剂、黏合膜、切割晶粒接合一体型膜及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、近年来，随着智能手机、平板pc等的高功能化/高速化，对它们中使用的半导体封装件要求进一步的小型化、高容量化、高速化、薄型化等。在这样的半导体封装件中使用的晶圆中，进行进一步的配线的微细化，即使在半导体封装件的组装时，晶片也存在进一步变薄的倾向。

2、在这样的趋势中，尤其在dram及nand型快闪储存体的区域内，因极微量的铜离子等重金属离子，产生动作不良情况的问题开始出现。以往已知有，若重金属离子与硅结晶接触，则可能会在结晶内扩散并到达电路面，由此产生动作不良情况。从防止动作不良情况的产生的观点考虑，在半导体封装件的组装中，一般为了在硅晶圆上捕获重金属离子而进行吸气处理，以免附着于硅晶圆的重金属离子扩散至电路面。

3、作为吸气处理，例如主要使用在晶圆内部设置吸气层的方法(本质吸气、以下，称为“ig”。)及在晶圆背面设置吸气层的方法(外质吸气、以下，称为“eg”。)。然而，在ig中，由于晶片的厚度薄化，能够形成在内部的吸气层的厚度变小，其效果不能说充分。并且，在eg中，在晶圆背面形成微小的龟裂，因此导致晶片的抗弯强度降低。因此，尤其在操作较难的极薄晶圆中，产生很难进行过度吸气处理的问题。在这样的状况下，对在树脂膜(半导体装置的制造程序中使用的黏合膜)、更详细而言为晶片与基板之间或晶片彼此之间的黏合中使用的膜状黏合剂(晶粒接合膜)上赋予用于捕获重金属离子的吸气功能进行了研究(例如参考专利文献1、2)。

4、以往技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2011-213878号公报

7、专利文献2：日本特开2012-241157号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术课题

2、然而，在以往的膜状黏合剂中，在抑制伴随黏合剂内的铜离子的移动的不良情况的方面不充分，仍然存在改善的空间。本发明提供一种具有阻止重金属离子、例如铜离子的移动的位障功能的膜状黏合剂及具备膜状黏合剂的黏合膜。并且，本发明提供一种具备膜状黏合剂作为第一黏合层的切割晶粒接合一体型膜、以及使用该切割晶粒接合一体型膜的半导体装置的制造方法。

3、用于解决技术课题的手段

4、本发明的第一方式的膜状黏合剂为由具有热固性且含有填料的树脂组合物构成、且具有第一表面及第二表面的单层结构，该膜状黏合剂具有：区域a，其为该膜状黏合剂的第一表面附近的区域且为填料的含有率随着从第二表面侧朝向第一表面侧减少的区域；及区域b，其为填料的含有率在从该膜状黏合剂的第二表面侧朝向第一表面侧的方向上实质上没有变化的区域。在通过加热使该膜状黏合剂固化时，在将热固化后的该膜状黏合剂的区域a的厚度设为a(nm)、将区域b的弹性模数设为b(pa)、将云母的劈开面的弹性模数设为c(pa)时，满足下述式(1)。

5、a×(b/c)＞50···(1)

6、膜状黏合剂通过加热而固化的状态是指，与基于dsc(热示差扫描热量仪、例如rigaku corporation制、thermo plus 2)的反应前后的发热量相比，在评价固化程度的一般手法中，反应率为90％以上的状态。为了固化膜状黏合剂，例如在170℃经3小时加热即可。

7、具有上述区域a的膜状黏合剂具有阻止重金属离子的移动的位障功能。该理由并不确定，本发明人等推测如下。即，位于第一表面附近的上述区域的填料的含有率相对较低之类的情况，换言之，在第一表面的附近，在厚度方向上局部形成有树脂成分的含有率相对高的区域(树脂富集的区域)，另一方面，在面方向上形成有连续的扩展。由此，可以说区域a比其他区域(例如，区域b)致密，推测通过这样的区域a具有一定程度的厚度而发挥阻止重金属离子的移动的位障功能。另外，膜状黏合剂除了区域a以外还具有区域b，区域b具有一定程度的大小的弹性模数(即，具有一定程度的硬度)，由此可以说区域b也致密到一定程度，推测其发挥阻止重金属离子的移动的位障功能。

8、本发明的黏合膜具备上述第一或第二方式的膜状黏合剂及与膜状黏合剂的第二表面接触的基材膜。本发明的切割晶粒接合一体型膜依次具备：第一黏合层，由上述第一或第二方式的膜状黏合剂构成；第二黏合层，与膜状黏合剂的第二表面接触；第一黏合层，与第二黏合层接触；及基材膜，与第一黏合层接触。

9、本发明的半导体装置的制造方法包括如下工序：在上述切割晶粒接合一体型膜中的膜状黏合剂(第一黏合层)的第一表面上贴合晶圆；将晶圆及膜状黏合剂单片化成复数个附有黏合剂片的晶片；从第二黏合层拾取附有黏合剂片的晶片；及经由黏合剂片将晶片层压于基板或其他晶片上。

10、发明效果

11、依据本发明，提供一种具有阻止重金属离子、例如铜离子的移动的位障功能的膜状黏合剂及具备膜状黏合剂的黏合膜。并且，依据本发明，提供一种具备膜状黏合剂作为第一黏合层的切割晶粒接合一体型膜、以及使用该切割晶粒接合一体型膜的半导体装置的制造方法。

1.一种膜状黏合剂，其为由具有热固性且含有填料的树脂组合物构成、且具有第一表面及第二表面的单层结构的膜状黏合剂，

2.根据权利要求1所述的膜状黏合剂，其中，

3.根据权利要求1所述的膜状黏合剂，其中，

4.根据权利要求1所述的膜状黏合剂，其中，

5.根据权利要求1所述的膜状黏合剂，其中，

6.根据权利要求1所述的膜状黏合剂，其中，

7.一种黏合膜，其具备：

8.一种切割晶粒接合一体型膜，其依次具备：

9.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：