首页  专利技术  电子通信装置的制造及其应用技术

一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置与流程

2026-02-25 16:00:01 110次浏览
一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置与流程

本公开涉及显示,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。


背景技术:

1、相关技术中,阵列基板可以通过透明导电层与半导体层的导体区域搭接以完成信号传输,但半导体层和透明导电层的搭接部的电阻易受影响产生异常,导致电流异常,影响显示产品的品质。


技术实现思路

1、本公开实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置,以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

2、作为本公开实施例的第一方面,本公开实施例提供一种阵列基板,包括衬底;

3、半导体层,位于衬底的一侧,半导体层包括第一导体区域;

4、第二绝缘层,位于半导体层的背离衬底的一侧,第二绝缘层设置有第一过孔,第一过孔贯穿第二绝缘层,所述第一过孔在衬底上的正投影与第一导体区域在衬底上的正投影部分交叠;

5、透明导电层,位于第二绝缘层的背离衬底的一侧,透明导电层包括第一透明电极,第一透明电极通过第一过孔与第一导体区域搭接连接,第一导体区域与第一透明电极搭接连接的部分为第一搭接部;

6、保护结构层,位于透明电极层的背离衬底的一侧,保护结构层包括位于第一过孔内的保护部,第一搭接部在衬底上的正投影位于保护部在衬底上的正投影内。

7、在一些可能的实现方式中,保护结构层的材质包括有机材料;和/或,半导体层的材质包括氧化物半导体。

8、在一些可能的实现方式中,阵列基板还包括位于衬底和半导体层之间的第一金属层和第一绝缘层,第一金属层靠近衬底,第一金属层包括数据线,第一过孔还贯穿第一绝缘层,第一过孔在衬底上的正投影与数据线在衬底上的正投影部分交叠,第一透明电极还通过第一过孔与数据线搭接连接。

9、在一些可能的实现方式中,保护结构层还包括第一支撑部,第一支撑部位于保护部的背离衬底的一侧,第一支撑部相对于第二绝缘层朝向远离衬底的一侧表面凸出设置。

10、在一些可能的实现方式中,第二绝缘层的背离衬底的一侧设置有第二支撑部,第二支撑部位于第一过孔之外的区域。

11、在一些可能的实现方式中,阵列基板还包括位于衬底和第二绝缘层之间的数据线,第一透明电极与数据线连接,阵列基板还包括位于半导体层和第二绝缘层之间的第三绝缘层和第二金属层,第三绝缘层靠近半导体层,第二金属层包括栅线;

12、栅线与数据线在衬底上的正投影存在第一交叠区域,第二支撑部在衬底上的正投影位于第一交叠区域,第二支撑部为第二绝缘层在第一交叠区域形成的凸起。

13、在一些可能的实现方式中,

14、阵列基板还包括位于衬底和第二绝缘层之间的数据线,第一透明电极与数据线连接,阵列基板还包括位于半导体层和第二绝缘层之间的第三绝缘层和第二金属层,第三绝缘层靠近半导体层,第二金属层包括栅线;

15、栅线与数据线在衬底上的正投影存在第一交叠区域,第一支撑部沿数据线的延伸方向设置,第一过孔在衬底上的正投影和第一交叠区域均位于第一支撑部在衬底上的正投影内。

16、在一些可能的实现方式中,阵列基板还包括位于衬底和第二绝缘层之间的数据线,第一透明电极与数据线连接,阵列基板还包括位于半导体层和第二绝缘层之间的第三绝缘层和第二金属层,第三绝缘层靠近半导体层,第二金属层包括栅线;

17、第二绝缘层的背离衬底的一侧设置有第二支撑部,栅线与数据线在衬底上的正投影存在第一交叠区域,第二支撑部在衬底上的正投影位于第一交叠区域,第二支撑部为第二绝缘层在第一交叠区域形成的凸起。

18、在一些可能的实现方式中,阵列基板还包括位于衬底和第二绝缘层之间的数据线,第一透明电极与数据线连接,阵列基板还包括位于半导体层和第二绝缘层之间的第三绝缘层和第二金属层,第三绝缘层靠近半导体层,第二金属层包括栅线;

19、保护结构层的材料为黑色光阻材料,保护结构层包括沿栅线方向延伸的第一遮挡条以及沿数据线方向延伸的第二遮挡条,栅线、数据线和第一过孔在衬底上的正投影均位于保护结构层在衬底上的正投影内。

20、作为本公开实施例的第二方面,本公开实施例提供一种阵列基板的制备方法,方法包括:

21、在衬底的一侧形成半导体层,半导体层包括第一导体区域;

22、在半导体层的背离衬底的一侧形成第二绝缘层,对第二绝缘层进行图案化工艺形成第一过孔,第一过孔贯穿第二绝缘层,第一过孔在衬底上的正投影与第一导体区域在衬底上的正投影部分交叠;

23、在第二绝缘层的背离衬底的一侧形成透明导电层,透明导电层包括第一透明电极,第一透明电极通过第一过孔与第一导体区域搭接连接,第一导体区域与第一透明电极搭接连接的部分为第一搭接部;

24、在透明导电层的背离衬底的一侧形成保护结构层,保护结构层包括位于第一过孔内的保护部,第一搭接部在衬底上的正投影位于保护部在衬底上的正投影内。

25、作为本公开实施例的第三方面,本公开实施例提供一种显示面板,包括第一方面任一项的阵列基板。

26、作为本公开实施例的第四方面,本公开实施例提供一种显示面板,包括如上的阵列基板,还包括与阵列基板相对设置的对盒基板,对盒基板包括第二衬底以及设置在第二衬底的朝向阵列基板一侧的隔垫柱,隔垫柱与第二支撑部抵接,第二支撑部相对于第二绝缘层表面凸出的尺寸大于第一支撑部与第二衬底之间的间隙。

27、作为本公开实施例的第五方面,本公开实施例提供一种显示面板,包括如上的阵列基板,还包括与阵列基板相对设置的对盒基板,对盒基板包括第二衬底以及设置在第二衬底的朝向阵列基板一侧的隔垫柱,隔垫柱在第二衬底上的正投影位于第一支撑部在第二衬底上的正投影内,隔垫柱与第一支撑部抵接。

28、作为本公开实施例的第六方面,本公开实施例提供一种显示装置,包括第一方面任一项的阵列基板或者包括如上任一项的显示面板。

29、本公开实施例的技术方案可以得到如下有益效果:本公开实施例的阵列基板可以保护半导体层与透明导电层的第一搭接部,避免第一搭接部电阻异常变化,提高显示产品的品质。

30、上述概述仅仅是为了说明书的目的,并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外,通过参考附图和以下的详细描述,本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。



技术特征:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述保护结构层的材质包括有机材料;和/或,所述半导体层的材质包括氧化物半导体。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括位于所述衬底和所述半导体层之间的第一金属层和第一绝缘层,所述第一金属层靠近所述衬底,所述第一金属层包括数据线,所述第一过孔还贯穿所述第一绝缘层,所述第一过孔在所述衬底上的正投影与所述数据线在所述衬底上的正投影部分交叠,所述第一透明电极还通过所述第一过孔与所述数据线搭接连接。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述保护结构层还包括第一支撑部,所述第一支撑部位于所述保护部的背离所述衬底的一侧,所述第一支撑部相对于所述第二绝缘层朝向远离所述衬底的一侧表面凸出设置。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二绝缘层的背离所述衬底的一侧设置有第二支撑部,所述第二支撑部位于所述第一过孔之外的区域。

6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,

7.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,

8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括位于所述衬底和所述第二绝缘层之间的数据线,所述第一透明电极与所述数据线连接,所述阵列基板还包括位于所述半导体层和所述第二绝缘层之间的第三绝缘层和第二金属层,所述第三绝缘层靠近所述半导体层,所述第二金属层包括栅线;

9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括位于所述衬底和所述第二绝缘层之间的数据线,所述第一透明电极与所述数据线连接,所述阵列基板还包括位于所述半导体层和所述第二绝缘层之间的第三绝缘层和第二金属层,所述第三绝缘层靠近所述半导体层,所述第二金属层包括栅线;

10.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

11.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-9中任一项所述的阵列基板。

12.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求5或6所述的阵列基板,还包括与所述阵列基板相对设置的对盒基板,所述对盒基板包括第二衬底以及设置在所述第二衬底的朝向所述阵列基板一侧的隔垫柱,所述隔垫柱与所述第二支撑部抵接,所述第二支撑部相对于所述第二绝缘层表面凸出的尺寸大于所述第一支撑部与所述第二衬底之间的间隙。

13.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求7所述的阵列基板,还包括与所述阵列基板相对设置的对盒基板,所述对盒基板包括第二衬底以及设置在所述第二衬底的朝向所述阵列基板一侧的隔垫柱,所述隔垫柱在所述第二衬底上的正投影位于所述第一支撑部在所述第二衬底上的正投影内,所述隔垫柱与所述第一支撑部抵接。

14.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-9中任一项所述阵列基板或者包括权利要求11-13中任一项所述的显示面板。


技术总结
本公开实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。阵列基板包括依次设置在衬底上的半导体层、第二绝缘层、透明导电层以及保护结构层,半导体层包括第一导体区域;第二绝缘层设置有第一过孔,第一过孔贯穿第二绝缘层,第一过孔在衬底上的正投影与第一导体区域在衬底上的正投影部分交叠,透明导电层包括第一透明电极,第一透明电极通过第一过孔与第一导体区域搭接连接,第一导体区域与第一透明电极搭接连接的部分为第一搭接部,保护结构层包括位于第一过孔内的保护部,第一搭接部在衬底上的正投影位于保护部在衬底上的正投影内。本公开技术方案可以对第一搭接部进行保护,避免第一搭接部电阻受影响出现异常。

技术研发人员:赵坤,宁策,胡合合,姚念琦,李正亮,贺家煜,李菲菲
受保护的技术使用者:京东方科技集团股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/28
文档序号 : 【 40163655 】

技术研发人员:赵坤,宁策,胡合合,姚念琦,李正亮,贺家煜,李菲菲
技术所有人:京东方科技集团股份有限公司

备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
声 明此信息收集于网络,如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们,我们会在第一时间删除
赵坤宁策胡合合姚念琦李正亮贺家煜李菲菲京东方科技集团股份有限公司
一种生产乙腈的催化剂及其制备方法和应用 一种功率控制方法及设备、存储介质与流程
相关内容