半导体发光元件的制作方法

本发明涉及一种半导体发光元件，特别是涉及一种接触结构优化的半导体发光元件。

背景技术：

1、半导体发光元件的用途十分广泛，相关材料的开发研究也持续进行。举例来说，包含三族及五族元素的iii-v族半导体材料可用于各种半导体光电元件如发光二极管、激光二极管(laser diode，ld)、光侦测器(photodiode，pd)或太阳能电池(solar cell)等，或者可以是功率元件例如开关元件或整流器，而能应用于照明、医疗、显示、通信、感测、电源系统等领域。作为半导体发光元件之一的发光二极管具有耗电量低、反应速度快、工作寿命长等优点，因此大量被应用于各种领域，而更低的功耗、更小的体积及更佳的光电转换效率一直是业界研发的重点。

技术实现思路

1、根据本发明的一实施例，提供一种半导体发光元件包括：基底；半导体叠层，包含第一半导体结构、活性结构及第二半导体结构，第一半导体结构具有面向基底的第一表面；第一电极结构，连接第二半导体结构并包含电极垫；第一绝缘结构，位于第一半导体结构及基底之间并包含多个绝缘部；第一接触结构，位于第一半导体结构及第一绝缘结构之间并接触第一表面，并包含有一在一垂直方向上与绝缘部重叠的第一区以及一在垂直方向上不与绝缘部重叠的第二区。第一表面具有一总面积，第二区具有一第一面积，电极垫具有一第二面积，第一面积与总面积的比值为通道比，通道比与第三面积的比值大于或等于2.6×10-5/μm2。

1.一种半导体发光元件，包括：

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，该通道比介于0.3至0.9之间。

3.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包括第二接触层位于该第一电极结构与该半导体叠层之间，该第二接触层具有第四面积，该第二面积与该第四面积的比值介于7至24之间。

4.如权利要求3所述的半导体发光元件，其中，该第一电极结构还包括多个延伸部，该第二接触层在垂直方向上与该些延伸部重叠并与该电极垫不重叠。

5.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，该第一接触结构具有开口，该开口在垂直方向上与电极垫重叠。

6.如权利要求5所述的半导体发光元件，其中，该开口的宽度大于或等于该电极垫的宽度。

7.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包含反射层位于该第一接触结构及该基底之间，以及接合层位于该基底及该反射层之间。

8.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包含第二绝缘结构位于该基底及该第一接触结构之间，该基底包含在垂直方向上与该活性结构重叠的中央区及在该垂直方向上不与该活性结构重叠的周边区，其中，该第一绝缘结构于该垂直方向上与该中央区重叠，该第二绝缘结构与该周边区重叠并环绕该第一绝缘结构。

9.如权利要求8所述的半导体发光元件，其中，该第一绝缘结构具有多个绝缘区块位于该中央区内，该多个绝缘区块彼此分离且任意两个相邻绝缘区块之间具有第一间隔大于等于3μm。

10.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，该第一接触结构具有对应该第一区开设的第三开口，该第一绝缘结构位于该第三开口内并接触该第一表面。