一种集成双续流沟道的垂直型MOSFET器件及其制备方法
技术特征：
1.一种集成双续流沟道的垂直型mosfet器件，其特征在于，从下至上依次包括漏极、衬底、n--gan漂移层、p-gan层和n+-gan层，其中，从左向右依次设置有栅极槽一、源极槽一、源极槽二和栅极槽二，栅极槽一、源极槽一、源极槽二和栅极槽二均从顶部延伸至n--gan漂移层；
2.根据权利要求1所述的集成双续流沟道的垂直型mosfet器件，其特征在于，所述栅极槽一和栅极槽二底部均设有p-gan屏蔽层，p-gan屏蔽层顶部和槽侧壁沉积有介质层；
3.一种权利要求2所述的集成双续流沟道的垂直型mosfet器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
4.根据权利要求3所述的集成双续流沟道的垂直型mosfet器件的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，n--gan漂移层厚度优选为5-14μm，p-gan层厚度优选为0.5-0.8μm，n+-gan层厚度优选为0.2-0.3μm。
5.根据权利要求4所述的集成双续流沟道的垂直型mosfet器件的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，采用干法刻蚀，所用的刻蚀气体为cl2/bcl3/ar，刻蚀深度优选为0.7-1.1μm，宽度优选为1.4μm；
6.根据权利要求5所述的集成双续流沟道的垂直型mosfet器件的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，栅极槽一、源极槽一、源极槽二和栅极槽二的宽度分别为1-2μm、0.5-1μm、0.5-1μm、1-2μm。
7.根据权利要求6所述的集成双续流沟道的垂直型mosfet器件的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，位于中间的源极槽一、源极槽二的刻蚀部分包括步骤(3)的沟槽两边缘，源极槽一和源极槽二之间的沟道形成fin沟道，fin沟道的宽度优选为100-300nm。
8.根据权利要求7所述的集成双续流沟道的垂直型mosfet器件的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，p-gan屏蔽层的厚度优选为300nm；
9.根据权利要求8所述的集成双续流沟道的垂直型mosfet器件的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，栅极介质层厚度优选为50-150nm，源极介质层的厚度优选为40-50nm。
10.一种权利要求2所述的集成双续流沟道的垂直型mosfet器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
技术总结
一种集成双续流沟道的垂直型MOSFET器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括漏极、衬底、n<supgt;‑</supgt;‑GaN漂移层、p‑GaN层和n<supgt;+</supgt;‑GaN层，依次设置栅极槽一、源极槽一、源极槽二和栅极槽二；栅极槽一和栅极槽二底部均设有p‑GaN屏蔽层，p‑GaN屏蔽层顶部和槽侧壁沉积有介质层，其上蒸镀栅极；源极槽一和源极槽二内壁沉积有介质层，其上蒸镀源极；栅极槽一和源极槽一之间、源级槽二和栅极槽二之间的p‑GaN上表面设置体电极。本发明可以有效减小封装体积，消除金属互联，有效地降低系统的寄生效应，同时，Fin沟道的引入进一步降低反向沟道的开启电压，减小导通损耗。
技术研发人员：刘超,张艳婷
受保护的技术使用者：山东大学
技术研发日：
技术公布日：2024/11/28
技术研发人员：刘超,张艳婷
技术所有人：山东大学
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