一种高稳定性半导体激光器及其封装方法与流程
技术特征：
1.一种高稳定性半导体激光器，其特征在于，包括基板(1)、上封装体(2)、热敏电阻(3)和激光器芯片(4)，其中：
2.根据权利要求1所述的高稳定性半导体激光器，其特征在于，所述电阻槽(10)的底部设置有电阻导电层(100)，所述芯片槽(11)的底部设置有芯片导电层(110)；所述基板(1)的上表面有第一电阻焊盘(12)和第一芯片焊盘(13)；其中：
3.根据权利要求1所述的高稳定性半导体激光器，其特征在于，所述上封装体(2)为盖板(20)；所述基板(1)的上表面设置有第一镀金图案(14)，所述第一镀金图案(14)围绕所述电阻槽(10)，所述第一镀金图案(14)的内侧边缘与所述电阻槽(10)的边缘之间的距离差大于预设距离阈值，且所述第一镀金图案(14)的外侧边缘与所述芯片槽(11)的边缘之间的距离差大于预设距离阈值；
4.根据权利要求3所述的高稳定性半导体激光器，其特征在于，所述盖板(20)的下表面还设置有第二电阻焊盘(2002)、第三电阻焊盘(2003)、第二芯片焊盘(2004)和第三芯片焊盘(2005)，其中：
5.根据权利要求4所述的高稳定性半导体激光器，其特征在于，所述第三电阻焊盘(2003)的直径与所述热敏电阻(3)的长度之比小于预设比例阈值；所述第二芯片焊盘(2004)的直径与所述激光器芯片(4)的边长之比小于预设比例阈值；
6.根据权利要求3所述的高稳定性半导体激光器，其特征在于，所述高稳定性半导体激光器还包括管壳(5)，各个部件被整体密封在所述管壳(5)内；
7.根据权利要求1所述的高稳定性半导体激光器，其特征在于，所述半导体制冷器(6)的冷面或热面有第三镀金图案及第四镀金图案；
8.根据权利要求1-7任一项所述的高稳定性半导体激光器，其特征在于，所述基板(1)内开设有温度检测通槽(15)，所述温度检测通槽(15)的一端与所述芯片槽(11)的底面连通，所述温度检测通槽(15)的另一端与所述电阻槽(10)的底面连通；
9.根据权利要求8所述的高稳定性半导体激光器，其特征在于，所述基板(1)为硅基板。
10.一种如权利要求1-9任一项所述的高稳定性半导体激光器的封装方法，其特征在于，包括：
技术总结
本发明涉及光纤通信和传感器件封装技术领域，提供了一种高稳定性半导体激光器及其封装方法。本发明的高稳定性半导体激光器包括基板、上封装体、热敏电阻和激光器芯片，基板上开设有电阻槽和芯片槽，芯片槽的一侧与外界连通，以在保障激光器芯片正常工作的前提下，通过形成局部密闭腔体，尽可能地对其进行封装，建立稳定的热分布空间；通过上封装体、基板及基板上的电阻槽，给热敏电阻建立了一个稳定的热分布空间，使热敏电阻在全温过程中不再存在温度梯度，进而解决了半导体激光器无法满足高稳定性通讯或传感系统的应用需求的问题。
技术研发人员：胡超,王运,陈小梅,李喜,陈小威,吕念,牛玉秀
受保护的技术使用者：武汉光迅科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/28
技术研发人员：胡超,王运,陈小梅,李喜,陈小威,吕念,牛玉秀
技术所有人：武汉光迅科技股份有限公司
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