一种低温去除器件中胶结物的方法与流程

1.一种低温去除器件中胶结物的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氟基气体包括cf4。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述清洗气体中氧气和氮气的体积比为4~10:1；和/或，所述清洗气体的流量为5000~10000sccm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一温度为15~65℃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体处理的偏置功率为100w≤u≤250w。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件包括层叠设置的膜层和通孔层；

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述通孔层上具有通孔，所述通孔的周部具有胶结物；和/或，所述通孔层的材质为含硅化合物。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述通孔的直径为50~1000nm，和/或，所述通孔的深度为50~500nm。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述胶结物的材质包括光刻胶。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述胶结物中含有硅渣；