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一种静电吸附装置的制作方法

2025-12-16 17:00:08 482次浏览

技术特征:

1.一种静电吸附装置,其特征在于,所述静电吸附装置包括:绝缘介质层(20)、第一电极区和第二电极区,所述绝缘介质层(20)预设高度的横截面为圆形平面;

2.根据权利要求1中所述的静电吸附装置,其特征在于,每组所述第一圆弧部均分布在其对应连接的所述第一分支部(312)沿所述圆形平面的第一圆周方向(13)的同侧;每组所述第二圆弧部均分布在其对应连接的所述第二分支部(322)沿所述圆形平面的第二圆周方向(14)的同侧;所述第一圆周方向(13)和所述第二圆周方向(14)中一个为顺时针方向,另一个为逆时针方向。

3.根据权利要求1中所述的静电吸附装置,其特征在于,每组所述第一圆弧部分布在其对应连接的所述第一分支部(312)沿所述圆形平面第一圆周方向(13)的一侧和沿所述圆形平面第二圆周方向(14)的一侧;每组所述第二圆弧部分布在其对应连接的所述第二分支部(322)沿所述圆形平面第一圆周方向(13)的一侧和沿所述圆形平面第二圆周方向(14)的一侧;所述第一圆周方向(13)和所述第二圆周方向(14)中一个为顺时针方向,另一个为逆时针方向。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的静电吸附装置,其特征在于,所述第一分支部(312)和所述第二分支部(322)所在的所述圆形平面径向(11)上存在避空区域(33),靠近所述避空区域(33)的所述第一圆弧电极(311)、所述第二圆弧电极(321)、所述第一分支部(312)和所述第二分支部(322)进行避位变形设置以得到设置所述避空区域(33)的空间。

5.根据权利要求1-3中任意一项所述的静电吸附装置,其特征在于,所述中心电极部(35)内部为空心孔(34)。

6.根据权利要求1-3中任意一项所述的静电吸附装置,其特征在于,所述中心电极部(35)为有一个开口的优弧;或所述中心电极部(35)为一个整圆环形;

7.根据权利要求1-3中任意一项所述的静电吸附装置,其特征在于,所述第一电极区和所述第二电极区的面积比大于0且小于等于10,或所述第二电极区和所述第一电极区的面积比大于0且小于等于10。

8.根据权利要求1-3中任意一项所述的静电吸附装置,其特征在于,所述第一电极区和所述第二电极区的面积比等于1。

9.根据权利要求1-3中任意一项所述的静电吸附装置,其特征在于,每个所述第一圆弧电极(311)沿所述圆形平面的径向(11)长度大于等于0.3毫米且小于0.5毫米,每个所述第二圆弧电极(321)沿所述圆形平面的径向(11)长度大于等于0.3毫米且小于0.5毫米。

10.根据权利要求1-3中任意一项所述的静电吸附装置,其特征在于,每个所述第一圆弧电极(311)沿所述圆形平面的径向(11)长度等于每个所述第二圆弧电极(321)沿所述圆形平面的径向(11)长度。

11.根据权利要求1-3中任意一项所述的静电吸附装置,其特征在于,各个沿所述圆形平面的径向(11)相邻的所述第一圆弧电极(311)和所述第二圆弧电极(321)之间的间隔距离相等。

12.根据权利要求1-3中任意一项所述的静电吸附装置,其特征在于,各个沿所述圆形平面的径向(11)相邻的所述第一圆弧电极(311)和所述第二圆弧电极(321)之间的间隔距离均大于等于0.5毫米且小于等于10毫米。

13.根据权利要求1-3中任意一项所述的静电吸附装置,其特征在于,所述静电吸附装置还包括保护层,所述保护层覆盖于所述绝缘介质层(20)上方,所述保护层用于与所述静电吸附装置用于吸附的待吸附基体(40)接触,所述保护层的体电阻率大于等于1014ω·cm。

14.根据权利要求1-3中任意一项所述的静电吸附装置,其特征在于,所述绝缘介质层(20)的体电阻率大于等于1014ω·cm。


技术总结
本发明提供一种静电吸附装置,m个径向延伸的第一分支部与中心电极部外周连接,第一圆弧部与第一分支部两两连接;m个径向延伸的第二分支部与边缘电极部内周连接;第二圆弧部与第二分支部两两连接;各个第一圆弧电极和第二圆弧电极宽度大于等于0.3毫米且小于等于5毫米。本发明设置第一电极区和第二电极区使一个电极连接点对整个电极区电连接,减少背部所需走线空间;同时设置圆弧电极的宽度和数量产生强梯度力,提高对高电阻率待吸附基体的吸附力;另外设置避空区域为待吸附基体提供移动空间,提高静电吸附装置可靠性;最后设置中心电极部和边缘电极部为整圆环形,保持单个电极连接点同时实现更大面积的电极区,提高吸附力。

技术研发人员:江旭初,孙志鹏,吴宇航,陶伟杰
受保护的技术使用者:苏州隐冠半导体技术有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/26
文档序号 : 【 40125033 】

技术研发人员:江旭初,孙志鹏,吴宇航,陶伟杰
技术所有人:苏州隐冠半导体技术有限公司

备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
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江旭初孙志鹏吴宇航陶伟杰苏州隐冠半导体技术有限公司
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