一种功率芯片封装结构及其制备方法、印制电路板组件与流程

1.一种功率芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.如权利要求1所述的功率芯片封装结构的制备方法，其特征在于，提供一带有贯通槽的金属板，在所述金属板上形成金属框架，所述金属框架包括框架导电部和预设形状的框架散热部包括：

3.如权利要求2所述的功率芯片封装结构的制备方法，其特征在于，在固定好功率芯片的金属板表面制备第一介质层，所述第一介质层使所述框架导电部、所述框架散热部和所述功率芯片之间相互绝缘，得到制备好第一介质层的功率芯片封装结构包括：包括：

4.如权利要求3所述的功率芯片封装结构的制备方法，其特征在于，在制备好第一介质层的功率芯片封装结构上制备共面的第一电极、第二电极和第三电极，所述共面的第一电极、第二电极和第三电极用于与所述功率芯片的电极电性连接，得到功率芯片封装结构包括：

5.如权利要求4所述的功率芯片封装结构的制备方法，其特征在于，在制备好第一介质层的功率芯片封装结构上制备共面的第一电极、第二电极和第三电极，所述共面的第一电极、第二电极和第三电极用于与所述功率芯片的电极电性连接，得到功率芯片封装结构之后，所述制备方法还包括：

6.一种功率芯片封装结构，其特征在于，包括：功率芯片和绝缘框架，所述绝缘框架内嵌入所述功率芯片，所述绝缘框架的一侧设置有共面的第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极与所述功率芯片的双电极侧的第一电极电性连接，所述第二电极与所述功率芯片的双电极侧的第二电极电性连接，所述第三电极通过框架导电部与所述功率芯片的单电极侧的第三电极电性连接；

7.如权利要求6所述的功率芯片封装结构，其特征在于，所述绝缘框架的另一侧设置散热金属层，所述散热金属层与所述框架散热部金属性连接。

8.如权利要求7所述的功率芯片封装结构，其特征在于，所述功率芯片的单电极侧的第三电极通过盲孔互连结构与所述框架导电部电性连接，所述框架散热部通过散热互连结构与所述散热金属层金属性连接。

9.如权利要求8所述的功率芯片封装结构，其特征在于，所述框架散热部包括：第一散热部、第二散热部和连通散热部，所述第一散热部与所述连通散热部相互垂直，所述第二散热部与所述连通散热部相互垂直。

10.一种印制电路板组件，其特征在于，包括：印制电路板，所述印制电路板中埋设有如权利要求6-9的任一所述的功率芯片封装结构，所述功率芯片封装结构的非电极侧还固定有表面覆盖有金属层的绝缘介质板和/或散热器。