一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
技术特征：
1.一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述栅极氧化层在水平方向一部分位于所述第一导电类型漂移区之间，一部分位于所述第二导电类型体区域之间，一部分位于所述源极金属层之间；所述辅助栅阳极氧化层在所述水平方向一部分位于所述第一导电类型漂移区之间，一部分位于所述第二导电类型体区域之间，所述水平方向为平行于所述漏极金属层的方向。
3.根据权利要求2所述的屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，在所述水平方向上，所述栅极氧化层与所述辅助栅阳极氧化层之间，一部分由所述第一导电类型漂移区进行隔离，一部分由所述第二导电类型阳极注入区域、所述第二导电类型体区域及部分所述源极金属层进行隔离；且部分所述源极金属层和所述第二导电类型阳极注入区域在所述水平方向介于两个所述第二导电类型体区域之间。
4.根据权利要求2所述的屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第一导电类型栅极多晶硅区域在所述水平方向上通过所述栅极氧化层形成的第一栅极氧化层与所述第二导电类型体区域进行隔离，所述第一导电类型辅助栅阳极多晶硅区域在所述水平方向上通过所述辅助栅阳极氧化层形成的第二栅极氧化层与所述第二导电类型体区域进行隔离，其中，所述第一栅极氧化层的厚度大于所述第二栅极氧化层的厚度。
5.根据权利要求1所述的屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，第二个所述第一凹槽内设置有辅助栅阳极氧化层和第一导电类型辅助栅阳极多晶硅区域，所述辅助栅阳极氧化层包裹部分所述第一导电类型辅助栅阳极多晶硅区域。
6.根据权利要求2所述的屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，在所述水平方向上，所述栅极氧化层与所述辅助栅阳极氧化层之间，一部分由所述第一导电类型漂移区进行隔离，一部分由所述第二导电类型体区域进行隔离，且所述栅极氧化层的左侧依次设置有所述第二导电类型体区域和所述第二导电类型阳极注入区域。
7.根据权利要求6所述的屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第二导电类型体区域上设置有第一导电类型源极区域，所述源极金属层覆盖所述第二导电类型阳极注入区域、部分所述第二导电类型体区域、部分所述栅极氧化层、部分所述辅助栅阳极氧化层、所述第一导电类型辅助栅阳极多晶硅区域及所述第一导电类型源极区域；且所述第一导电类型源极区域在所述水平方向介于所述第二导电类型体区域和所述栅极氧化层之间。
8.一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
9.一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
10.一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
技术总结
本申请提供一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该半导体场效应晶体管通过辅助栅阳极氧化层、第一导电类型屏蔽栅极多晶硅区域、第一导电类型辅助栅阳极多晶硅区域共同构成辅助栅结构，辅助栅作为反向导通二极管，当器件反向导通的时候，辅助栅由于更低的导通电压而优先导通，且为单极导通二极管，减少了器件内部空穴浓度，因此很大程度上改善了传统的屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的反向恢复性能。此外，由于源极金属层与第二导电类型体区域形成肖特基接触，减小了原本传统结构中寄生三极管结构的影响，从而改善了器件的工作可靠性。
技术研发人员：陈文锁,俞齐声,徐向涛,张成方,王航,张力
受保护的技术使用者：重庆大学
技术研发日：
技术公布日：2024/11/18
技术研发人员：陈文锁,俞齐声,徐向涛,张成方,王航,张力
技术所有人：重庆大学
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