一种基于喷墨纳米压印的多结构倾斜光栅阵列的制备方法与流程

1.一种基于喷墨纳米压印的多结构倾斜光栅阵列的制备方法，其特征在于：包括运动平台，所述运动平台上方吸附有衬底，所述衬底上有若干个待喷墨区，所述待喷墨区上标记有指定坐标；包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种基于喷墨纳米压印的多结构倾斜光栅阵列的制备方法，其特征在于：所述s1包括如下内容：包括定位系统，所述定位系统对所述待喷墨区的指定坐标进行识别，所述定位系统与所述运动平台相关联，所述运动平台根据所述定位系统进行引导移动。

3.如权利要求1所述的一种基于喷墨纳米压印的多结构倾斜光栅阵列的制备方法，其特征在于：所述s2包括如下内容：喷墨形成的液滴阵列特征，包括喷墨后的液滴直径、液滴与液滴之间的间距、液滴本身的属性例如杨氏模量、胶体粘度根据原始模板进行相应的设计与调整，能够在进行模板复制时的对残余层胶量进行控制，有利于后续的刻蚀工艺，且有利于对整体的多结构倾斜光栅阵列的形貌。

4.如权利要求1所述的一种基于喷墨纳米压印的多结构倾斜光栅阵列的制备方法，其特征在于：所述s2包括如下内容：所述压印区域的形状通过绘图进行控制；以指定坐标作为起始点，根据预先设置的尺寸形状进行绘图，随后通过喷涂形成压印区域。

5.如权利要求1所述的一种基于喷墨纳米压印的多结构倾斜光栅阵列的制备方法，其特征在于：所述s3包括如下内容：光栅模板的面积大于所述衬底，因此压印的位置和尺寸通过喷墨进行控制，无需进行对准。

6.如权利要求1所述的一种基于喷墨纳米压印的多结构倾斜光栅阵列的制备方法，其特征在于：所述s4包括如下内容：去除残余层的方法包括刻蚀、腐蚀，保留衬底以及衬底上无残余层的光栅结构。

7.如权利要求1所述的一种基于喷墨纳米压印的多结构倾斜光栅阵列的制备方法，其特征在于：所述s5包括如下内容：此时刻蚀气体的选择优先刻蚀去除衬底，通过控制刻蚀的时间进而选择传递的深度，以匹配光波导整体的压印诉求。

8.如权利要求1所述的一种基于喷墨纳米压印的多结构倾斜光栅阵列的制备方法，其特征在于：所述s6中对刻蚀后的最终光栅结构进行的保护包括：化学气相沉积一层致密的分子层、在等离子气体氛围中进行氧化处理；其目的是为了在其他刻蚀转移过程中保护已经刻蚀转移完成的图案不受影响。

9.一种基于喷墨纳米压印的多结构倾斜光栅阵列的制备装置，其特征在于：包括存储器和一个或多个处理器，所述存储器中存储有可执行代码，所述一个或多个处理器执行所述可执行代码时，用于实现权利要求1~8任一项所述的一种基于喷墨纳米压印的多结构倾斜光栅阵列的制备方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于：其上存储有程序，该程序被处理器执行时，实现权利要求1~8任一项所述的一种基于喷墨纳米压印的多结构倾斜光栅阵列的制备方法。