基于低温硼扩法制备选择性发射极的方法、及晶硅电池的制备方法与流程

1.基于低温硼扩法制备选择性发射极的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于低温硼扩法制备选择性发射极的方法，其特征在于，所述阻挡层溶液中包括硅酸酯、硅烷醇、氮化硅溶胶、铝酸钠、硫酸铵中的一种或多种物质；

3.根据权利要求1所述的基于低温硼扩法制备选择性发射极的方法，其特征在于，采用管式设备在所述硅片正面沉积bsg层，沉积参数：在600~900℃温度下，通入硼源和氧气的混合气体沉积200~600s，硼源和氧气的体积比1:2~1:5。

4.根据权利要求1所述的基于低温硼扩法制备选择性发射极的方法，其特征在于，所述激光开膜处理至bsg层；所述激光开膜处理采用脉冲激光进行开膜，开膜功率10~30w，光斑尺寸70-150μm，按照图形设计要求确定相邻两个开膜区之间的间距。

5.根据权利要求1所述的基于低温硼扩法制备选择性发射极的方法，其特征在于，所述硼扩处理是在低压硼扩管中进行，温度设置为900~1000℃、压力设置为100~300mbar，通入硼源和氧气的混合气体，硼源和氧气的体积比1:2~1:5，沉积时间为200~600s，推进时间1000~5000s。

6.根据权利要求1-5任一项所述的基于低温硼扩法制备选择性发射极的方法，其特征在于，所述硅片为n型单晶硅片；

7.晶硅电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

8.根据权利要求7所述的晶硅电池的制备方法，其特征在于，进行磷扩散处理同时完成晶化处理的工艺条件为：在磷源气体和氧气的混合气体下，于700~900℃扩散800~4000s，可同时完成高温晶化与磷扩散；

9.根据权利要求8所述的晶硅电池的制备方法，其特征在于，所述碱抛光使得背面反射率大于40%；所述隧穿氧化层的厚度为1~2nm，所述本征非晶硅沉积层的厚度为50~150nm；所述三氧化二铝层的厚度为3~10nm，正面钝化减反膜层的厚度为75~80nm，背面钝化减反膜层的厚度为70~100nm；背面金属化制程制作背银电极，正面金属化制程制作正铝电极。