一种双面微晶异质结电池及其制造方法和光伏组件与流程

1.一种双面微晶异质结电池，包括硅片，在硅片正面设置的第一本征硅层，在硅片背面设置的第二本征非晶硅层，其特征在于，还包括：在第一本征硅层外表面依次设置的n型微晶硅氧掺杂层和n型微晶硅掺杂层，在第二本征非晶硅层外表面依次设置的p型微晶碳化硅掺杂层和p型微晶硅掺杂层，p型微晶硅掺杂层、p型微晶碳化硅掺杂层和n型微晶硅氧掺杂层、n型微晶硅掺杂层的厚度之比为1：0.25-0.5：0.6-1：0.6-1，p型微晶硅掺杂层、p型微晶碳化硅掺杂层和n型微晶硅氧掺杂层、n型微晶硅掺杂层的晶化率之比为1：0.5-0.9：0.5-1：0.5-1。

2.根据权利要求1所述的双面微晶异质结电池，其特征在于，p型微晶碳化硅掺杂层的晶化率为30%-50%，和/或，p型微晶硅掺杂层的晶化率为40%-70%。

3.根据权利要求1所述的双面微晶异质结电池，其特征在于，p型微晶碳化硅掺杂层的厚度为2-8nm，p型微晶硅掺杂层的厚度10-30nm，n型微晶硅氧掺杂层的厚度为10-20nm，n型微晶硅掺杂层厚度为2-8nm。

4.根据权利要求1所述的双面微晶异质结电池，其特征在于，p型微晶硅掺杂层的有效掺硼浓度、p型微晶碳化硅掺杂层的有效掺硼浓度和n型微晶硅氧掺杂层的有效掺磷浓度、n型微晶硅掺杂层的有效掺磷浓度的比为1：0.5-1.5：1-20：0.4-20，和/或，p型微晶碳化硅掺杂层的有效掺硼浓度、有效掺碳浓度的比例为1：0.2-1。

5.根据权利要求1或4所述的双面微晶异质结电池，其特征在于，p型微晶碳化硅掺杂层的有效掺硼浓度为5e18 cm-3-1.5e20 cm-3；

6.根据权利要求1所述的双面微晶异质结电池，其特征在于，p型微晶硅掺杂层、p型微晶碳化硅掺杂层和第二本征非晶硅层的厚度之比为1：0.25-0.5：0.3-0.5；

7.根据权利要求1所述的双面微晶异质结电池，其特征在于，所述双面微晶异质结电池还包括在n型微晶硅掺杂层外表面和p型微晶硅掺杂层外表面分别设置的透明导电膜、金属银栅电极。

8.一种双面微晶异质结电池的制造方法，其特征在于，其用于制备如权利要求1-7中任一项所述的双面微晶异质结电池，其包括如下步骤：

9.一种双面微晶异质结电池的制造方法，其特征在于，其用于制备如权利要求1-7中任一项所述的双面微晶异质结电池，其包括如下步骤：

10.根据权利要求8或9所述的双面微晶异质结电池的制造方法，其特征在于，所述的双面微晶异质结电池的制造方法还包括如下至少一种特征：

11.一种光伏组件，其特征在于，其包括如权利要求1-7中任一项所述的双面微晶异质结电池，或者包括如权利要求8-10中任一项所述的双面微晶异质结电池的制造方法制得的双面微晶异质结电池。