非接触式高功率射频连接器的制作方法

1.一种射频连接器(100)，所述射频连接器(100)包括第一耦合器部段(200)、对称的第二耦合器部段(300)和至少一个壳体(510)，所述第一耦合器部段包括第一导体(220)，并且所述第二耦合器部段包括第二导体(320)，

2.根据权利要求1所述的射频连接器，

3.根据前述权利要求中任一项所述的射频连接器，

4.根据前述权利要求所述的射频连接器，

5.根据权利要求3或4所述的射频连接器，

6.根据前述权利要求中任一项所述的射频连接器，

7.根据前述权利要求中任一项所述的射频连接器，

8.根据前述权利要求中任一项所述的射频连接器，

9.根据前述权利要求所述的射频连接器，

10.根据前述权利要求中任一项所述的射频连接器，

11.根据前述权利要求中任一项所述的射频连接器，

12.根据前述权利要求中任一项所述的射频连接器，

13.根据前述权利要求中任一项所述的射频连接器，

14.根据前述权利要求中任一项所述的射频连接器，

15.根据前述权利要求中任一项所述的射频连接器，