一种平板探测器基板及其制备方法、平板探测器与流程
技术特征：
1.一种平板探测器基板，其特征在于，所述平板探测器基板包括：
2.根据权利要求1所述的平板探测器基板，其特征在于，在所述衬底上的正投影中，所述第一金属图案位于所述半导体层内部，所述第一金属图案远离所述第一搭接区域的边缘与所述半导体层边缘之间存在间隙。
3.根据权利要求1所述的平板探测器基板，其特征在于，所述平板探测器基板还包括隔离层，所述隔离层在所述衬底上的正投影与所述第一搭接区域无交叠；
4.根据权利要求1所述的平板探测器基板，其特征在于，所述平板探测器基板还包括：
5.根据权利要求4所述的平板探测器基板，其特征在于，所述平坦层背离所述衬底的一侧表面上设置有第一过孔，所述第二电极层通过所述第一过孔与所述第一金属图案以及所述半导体层形成电连接。
6.根据权利要求5所述的平板探测器基板，其特征在于，所述第一钝化层在所述第一搭接区域内设置有第二过孔；
7.根据权利要求5所述的平板探测器基板，其特征在于，所述第一过孔的边缘在所述衬底上的正投影位于所述第一金属图案在所述衬底上的正投影内部。
8.根据权利要求5所述的平板探测器基板，其特征在于，所述第二电极层包括搭接部和延伸部，所述搭接部覆盖所述第一金属图案的部分表面以及所述第一搭接区域内的所述半导体层；
9.根据权利要求1所述的平板探测器基板，其特征在于，所述第二电极层包括第一搭接子部和第二搭接子部，所述第一搭接子部部分覆盖所述第一金属图案背离所述衬底一侧表面；
10.根据权利要求1所述的平板探测器基板，其特征在于，所述平板探测器基板还包括导电层，所述导电层设置在所述半导体层与所述第一电极层之间，所述第一电极层与所述半导体层通过所述导电层实现电连接。
11.根据权利要求10所述的平板探测器基板，其特征在于，所述导电层在所述衬底上的正投影位于所述第一电极层在所述衬底上的正投影内部；
12.一种平板探测器，其特征在于，所述平板探测器包括如权利要求1至11任意一项所述的平板探测器基板。
13.一种平板探测器基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
14.根据权利要求13所述的平板探测器基板的制备方法，其特征在于，所述在所述第一电极层背离所述衬底的一侧形成半导体层，包括：
15.根据权利要求14所述的平板探测器基板的制备方法，其特征在于，所述半导体材料层包括层叠设置的主体材料层和第一金属材料层，所述主体材料层靠近所述衬底设置，所述对所述半导体材料层进行图形化处理，形成所述半导体层，包括：
技术总结
本申请提供一种平板探测器基板及其制备方法、平板探测器，涉及半导体技术领域，所述平板探测器基板包括：衬底；半导体层，设置在所述衬底的一侧，所述半导体层在远离所述衬底一侧表面的边缘内侧设置有第一金属图案，所述第一金属图案围合形成第一搭接区域；第一电极层，设置在所述半导体层靠近所述衬底的一侧，所述第一电极层与所述半导体层形成电连接；第二电极层，设置在所述半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二电极层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一搭接区域，且与所述第一金属图案在所述衬底上的正投影部分交叠。
技术研发人员：王震,李文龙,张鹏,吴申康,邢东明,施春安,张宇航,信霄,王志敏,马健
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/18
技术研发人员：王震,李文龙,张鹏,吴申康,邢东明,施春安,张宇航,信霄,王志敏,马健
技术所有人：京东方科技集团股份有限公司
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