一种平板探测器基板及其制备方法、平板探测器与流程

本技术实施例涉及半导体，具体而言，涉及一种平板探测器基板及其制备方法、平板探测器。

背景技术：

1、目前，平板探测器广泛的应用于医疗成像、工业无损探伤以及安检安防等领域，其中平板探测器包括阵列基板，阵列基板上包括多个感测单元，每个感测单元包括薄膜晶体管和光电二极管。平板探测器制程过程中为改善pin光电二极管的半导体层侧壁的漏电流情况，需要对光电二极管的顶电极进行多次刻蚀，确保顶电极材料内缩至半导体层内侧。

2、然而，在平坦探测器的制程中，光电二极管的顶电极受到晶化的影响，使得在顶电极的刻蚀过程中，部分结晶的顶电极材料残留在半导体层上表面的内缩区域内，从而在对平板探测器的图像检测过程中产生画质mura问题，影响产品良率。因此，如何避免平板探测器的图像检测过程中产生画质mura不良，成为本领域当前亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本技术实施例在于提供一种平板探测器基板及其制备方法、平板探测器，旨在解决如何避免平板探测器的图像检测过程中产生画质mura不良的问题。

2、本技术实施例第一方面提供一种平板探测器基板，所述平板探测器基板包括：

3、衬底；

4、半导体层，设置在所述衬底的一侧，所述半导体层在远离所述衬底一侧表面的边缘内侧设置有第一金属图案，所述第一金属图案围合形成第一搭接区域；

5、第一电极层，设置在所述半导体层靠近所述衬底的一侧，所述第一电极层与所述半导体层形成电连接；

6、第二电极层，设置在所述半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二电极层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一搭接区域，且与所述第一金属图案在所述衬底上的正投影部分交叠。

7、在一种可选地实施方式中，在所述衬底上的正投影中，所述第一金属图案位于所述半导体层内部，所述第一金属图案远离所述第一搭接区域的边缘与所述半导体层边缘之间存在间隙。

8、在一种可选地实施方式中，所述平板探测器基板还包括隔离层，所述隔离层在所述衬底上的正投影与所述第一搭接区域无交叠；

9、所述隔离层包括第一隔离部和第二隔离部，所述第一隔离部设置在所述半导体层背离所述衬底的一侧，所述第二隔离部覆盖所述半导体层的侧面，所述第一隔离部在所述衬底上的正投影与所述第一金属图案在所述衬底上的正投影部分交叠。

10、在一种可选地实施方式中，所述平板探测器基板还包括：

11、平坦层，所述平坦层设置在所述第一电极层与所述第二电极层之间，所述半导体层设置在所述平坦层内；

12、第一钝化层，设置在所述第二电极层背离所述衬底的一侧，所述第一钝化层在所述衬底上的正投影覆盖所述平坦层在所述衬底上的正投影以及所述第二电极层在所述衬底上的正投影。

13、在一种可选地实施方式中，所述平坦层背离所述衬底的一侧表面上设置有第一过孔，所述第二电极层通过所述第一过孔与所述第一金属图案以及所述半导体层形成电连接。

14、在一种可选地实施方式中，所述第一钝化层在所述第一搭接区域内设置有第二过孔；

15、所述平板探测器基板还包括金属走线层，设置在所述第一钝化层背离所述衬底的一侧，所述金属走线层通过所述第二过孔与所述第二电极层形成电连接。

16、在一种可选地实施方式中，所述第一过孔的边缘在所述衬底上的正投影位于所述第一金属图案在所述衬底上的正投影内部。

17、在一种可选地实施方式中，所述第二电极层包括搭接部和延伸部，所述搭接部覆盖所述第一金属图案的部分表面以及所述第一搭接区域内的所述半导体层；

18、所述延伸部覆盖所述第一过孔的侧壁以及所述平坦层远离所述衬底一侧的表面上靠近所述第一过孔的边缘区域。

19、在一种可选地实施方式中，所述第二电极层包括第一搭接子部和第二搭接子部，所述第一搭接子部部分覆盖所述第一金属图案背离所述衬底一侧表面；

20、所述第二搭接子部覆盖所述第一金属图案靠近所述第一搭接区域的侧面以及所述第一搭接区域内的所述半导体层，其中，所述第一搭接子部与所述第二搭接子部的连接处形成台阶状结构。

21、在一种可选地实施方式中，所述平板探测器基板还包括导电层，所述导电层设置在所述半导体层与所述第一电极层之间，所述第一电极层与所述半导体层通过所述导电层实现电连接。

22、在一种可选地实施方式中，所述导电层在所述衬底上的正投影位于所述第一电极层在所述衬底上的正投影内部；

23、所述导电层在所述衬底上的正投影与所述半导体层在所述衬底上的正投影重合，或者，所述半导体层在所述衬底上的正投影位于所述导电层在所述衬底上的正投影内部。

24、本技术实施例第二方面提供一种平板探测器，所述平板探测器包括如本技术实施例第一方面中任意一项所述的平板探测器基板。

25、本技术实施例第三方面提供一种平板探测器基板的制备方法，所述制备方法包括：

26、提供衬底；

27、在所述衬底的一侧形成第一电极层；

28、在所述第一电极层背离所述衬底的一侧形成半导体层，所述第一电极层与所述半导体层形成电连接；所述半导体层在远离所述衬底一侧表面的边缘内侧设置有第一金属图案，所述第一金属图案围合形成第一搭接区域；

29、在所述半导体层远离所述衬底的一侧形成第二电极层，所述第二电极层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一搭接区域，且与所述第一金属图案在所述衬底上的正投影部分交叠。

30、在一种可选地实施方式中，所述在所述第一电极层背离所述衬底的一侧形成半导体层，包括：

31、在所述第一电极层背离所述衬底的一侧形成导电材料层，所述导电材料层至少覆盖所述第一电极层；

32、在所述导电材料层背离所述衬底的一侧形成半导体材料层，

33、对所述半导体材料层进行图形化处理，形成所述半导体层；

34、对所述导电材料层进行图形化处理，形成导电层，所述导电层在所述衬底上的正投影与所述半导体层在所述衬底上的正投影重合，或者，所述半导体层在所述衬底上的正投影位于所述导电层在所述衬底上的正投影内部。

35、在一种可选地实施方式中，所述半导体材料层包括层叠设置的主体材料层和第一金属材料层，所述主体材料层靠近所述衬底设置，所述对所述半导体材料层进行图形化处理，形成所述半导体层，包括：

36、对所述第一金属材料层进行湿法刻蚀，形成第一金属层；

37、对所述主体材料层进行干法刻蚀，形成所述半导体层，在所述衬底上的正投影中，所述第一金属层位于所述半导体层内部，且所述第一金属层的边缘与所述半导体层的边缘之间存在间隙。

38、有益效果：

39、本技术提供一种平板探测器基板及其制备方法、平板探测器，所述平板探测器基板包括：衬底；半导体层，设置在所述衬底的一侧，所述半导体层在远离所述衬底一侧表面的边缘内侧设置有第一金属图案，所述第一金属图案围合形成第一搭接区域；第一电极层，设置在所述半导体层靠近所述衬底的一侧，所述第一电极层与所述半导体层形成电连接；第二电极层，设置在所述半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二电极层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一搭接区域，且与所述第一金属图案在所述衬底上的正投影部分交叠。本技术通过在半导体层远离衬底一侧表面的边缘处形成位于边缘内侧的第一金属图案，使第一金属图案的材料在制程中替代边缘处的第二电极层经受刻蚀，从而避免第二电极层的材料因结晶导致其残留，有效防止因第二电极层材料的晶化残留产生的画质mura问题，有效提升产品良率。