表面发射激光器、表面发射激光器的制造方法与流程

1.一种垂直腔面发射激光器(vcsel)，包括：

2.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，还包括设置在所述半导体部分上的介电层，所述介电层在所述单片光栅上延伸以覆盖所述周期性一维图案。

3.如权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，还包括第二分布式布拉格反射器(dbr)，其中：

4.如权利要求1至3中任一项所述的垂直腔面发射激光器，其进一步包括：

5.如权利要求4所述的垂直腔面发射激光器，还包括第二电极，其中：

6.如权利要求4所述的垂直腔面发射激光器，还包括第二电极，其中：

7.如权利要求1至6中任一项所述的垂直腔面发射激光器，所述腔的总腔长大于1微米。

8.如权利要求1至7中任一项所述的垂直腔面发射激光器，所述单片光栅与所述分布式布拉格反射器之间的距离不大于30微米。

9.一种用于制造垂直腔面发射激光器(vcsel)的方法，所述方法包括：

10.如权利要求9所述的方法，还包括在形成所述第一分布式布拉格反射器之后并且在去除所述基底之前，在所述导电层处形成第一金属电极。

11.如权利要求9或10所述的方法，还包括在生长所述半导体叠层之前，通过抛光或蚀刻中的至少一种来平坦化所述iii族氮化物区域。

12.如权利要求9至11中任一项所述的方法，还包括：

13.如权利要求9至11中任一项所述的方法，还包括：

14.如权利要求9至12中任一项所述的方法，还包括在去除所述基底之后，去除所述图案化外延横向过度生长掩模。

15.如权利要求9至13中任一项所述的方法，其中所述图案化外延横向过度生长掩模还包括第二分布式布拉格反射器，所述第二分布式布拉格反射器包括交替地布置在所述基底的表面处的第三介电层和第四介电层。