一种氮化镓沟槽型MOSFET器件及其制备方法

1.一种氮化镓沟槽型mosfet器件，是在垂直型氮化镓mosfet器件或准垂直型氮化镓mosfet器件的n-gan漂移层与p-gan层之间设置有极化层，极化层的材料为algan、aln、ingan、inaln或alingan；在完成栅极、源极区域刻蚀后继续生长一层再生长氮化镓层。

2.如权利要求1所述的氮化镓沟槽型mosfet器件，其特征在于，所述垂直型氮化镓mosfet器件的外延结构由下至上依次包括衬底、n-gan漂移层、极化层、p-gan层和n+-gan层；所述衬底下方设置有漏极金属层；

3.如权利要求1所述的氮化镓沟槽型mosfet器件，其特征在于，所述p-gan层上设置有沟槽，在沟槽的底面设置有体电极。

4.如权利要求1所述的氮化镓沟槽型mosfet器件，其特征在于，所述n-gan漂移层的厚度为5～15μm；优选为13.97μm；所述极化层的厚度为5～100nm；优选为30nm。

5.如权利要求1所述的氮化镓沟槽型mosfet器件，其特征在于，所述p-gan层的厚度为0.5～1μm；优选为0.7μm；所述n+-gan层的厚度为0.1～0.3μm；优选为0.2μm。

6.如权利要求1所述的氮化镓沟槽型mosfet器件，其特征在于，所述再生长氮化镓层的厚度为5～50nm；优选为15nm。

7.如权利要求2所述的氮化镓沟槽型mosfet器件，其特征在于，栅极金属层下方的sio2层的厚度为50～100nm；优选为80nm；源极金属层下方的sio2层的厚度为50nm～3μm；优选为2μm。

8.权利要求1～7任一项所述氮化镓沟槽型mosfet器件的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤(b)中，所述源极区域的深度为2～8μm，宽度为2～10μm；所述栅极区域的深度为2～8μm，宽度为2～10μm。

10.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤(f)中，所述沟槽的深度为290～300nm，宽度为0.8～1.2μm。