激光装置和电子器件的制造方法与流程
技术特征：
1.一种激光装置，其具有：
2.根据权利要求1所述的激光装置，其中，
3.根据权利要求1所述的激光装置，其中，
4.根据权利要求3所述的激光装置，其中，
5.根据权利要求3所述的激光装置，其中，
6.根据权利要求1所述的激光装置，其中，
7.根据权利要求6所述的激光装置，其中，
8.根据权利要求6所述的激光装置，其中，
9.根据权利要求1所述的激光装置，其中，
10.根据权利要求1所述的激光装置，其中，
11.根据权利要求1所述的激光装置，其中，
12.根据权利要求11所述的激光装置，其中，
13.根据权利要求1所述的激光装置，其中，
14.根据权利要求1所述的激光装置，其中，
15.根据权利要求1所述的激光装置，其中，
16.一种电子器件的制造方法，其包含以下步骤：
17.一种激光装置，其具有：
18.根据权利要求17所述的激光装置，其中，
19.一种电子器件的制造方法，其包含以下步骤：
技术总结
激光装置具有：第1半导体激光器，其输出连续振荡的第1激光；第1放大器，其进行第1激光的脉冲化和放大；波长转换系统，其对从第1放大器输出的第1脉冲激光进行波长转换，而输出第2脉冲激光；准分子放大器，其对第2脉冲激光进行放大；监视器模块，其计测从准分子放大器输出的第3脉冲激光的波长；以及处理器，其计算中心波长以及波长差，该中心波长是第1目标波长时的波长的计测值和第2目标波长时的波长的计测值的平均值，该波长差是第1目标波长时的波长的计测值与第2目标波长时的波长的计测值之差，计算第1半导体激光器的平均电流值，以使目标中心波长与中心波长之差变小，计算电流值差，以使目标波长差与波长差之差变小，根据平均电流值和电流值差计算第1目标波长时的第1电流值和第2目标波长时的第2电流值，来对第1半导体激光器进行控制。
技术研发人员：野极诚二,若林理
受保护的技术使用者：极光先进雷射株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/11/14
文档序号 :
【 40001000 】
技术研发人员：野极诚二,若林理
技术所有人：极光先进雷射株式会社
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
声 明 ：此信息收集于网络，如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们，我们会在第一时间删除
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