一种使用外部PNP对集成高压大电流实现功率分配电路的制作方法
技术特征:
1.一种使用外部pnp对集成高压大电流实现功率分配电路,其特征在于,包括高压ldo模块、电流检测器(2)、数字控制器、数字电流转换器和外部pnp;所述高压ldo模块包括内建电源产生电路ldo、参考电压产生电路ref、电流产生电路bias、误差放大器(1)、mos管pm1、mos管pm2、电阻rfb1和电阻rfb2;内建电源产生电路ldo的输入端与电源vin连接,内建电源产生电路ldo的输出端与参考电压产生电路ref的输入端、电流产生电路bias的输入端连接,电流产生电路bias的输出端与误差放大器(1)的电源输入端连接,参考电压产生电路ref的输出端与误差放大器(1)的输入正端连接;参考电压产生电路ref的输出端输出参考电压vref;误差放大器(1)的输出端同时与mos管pm1的栅极、mos管pm2的栅极连接,mos管pm1的源极、mos管pm2的源极都与电源vin连接;mos管pm1的漏极与电阻rfb1的一端连接,电阻rfb1的另一端同时与误差放大器(1)的输入负端、电阻rfb2的一端连接,电阻rfb2的另一端接地;误差放大器(1)的输入负端为电压反馈vfb;mos管pm1的漏极为输出电压vout;
2.根据权利要求1所述的一种使用外部pnp对集成高压大电流实现功率分配电路,其特征在于,所述误差放大器(1)包括mos管m1、mos管m2、mos管m3、mos管m4、mos管m5、mos管m6、mos管pmr和电阻rka;mos管m1的栅极与参考电压vref连接,mos管m2的栅极与电压反馈vfb连接;mos管m1的栅极为误差放大器(1)输入正端,mos管m2的栅极为误差放大器(1)输入负端;mos管m1的源极和mos管m2的源极都与电流产生电路bias的输出端连接;
3.根据权利要求2所述的一种使用外部pnp对集成高压大电流实现功率分配电路,其特征在于,所述误差放大器(1)中的mos管m3的源极、mos管m4的源极、mos管m5的源极都接地。
4.根据权利要求3所述的一种使用外部pnp对集成高压大电流实现功率分配电路,其特征在于,所述电流检测器(2)包括第一比较器cmp1、第二比较器cmp2、电阻r1和电阻r2,第一比较器cmp1的输入负端与mos管pm2的漏极连接,第一比较器cmp1的输入正端与参考电压vref连接,第一比较器cmp1的输出端与升降计数器(3)的输入端d_down连接;电阻r1的一端与第一比较器cmp1的输入负端连接,电阻r1的另一端与第二比较器cmp2的输入正端、电阻r2的一端连接,第二比较器cmp2的输入负端与参考电压vref连接,第二比较器cmp2的输出端与升降计数器(3)的输入端d_up连接;电阻r2的另一端接地。
5.根据权利要求4所述的一种使用外部pnp对集成高压大电流实现功率分配电路,其特征在于,所述升降计数器(3)为一个4比特升降计数器。
6.根据权利要求5所述的一种使用外部pnp对集成高压大电流实现功率分配电路,其特征在于,所述数模转化器(4)为一个15个电阻串联形成的一个电阻分压器。
7.根据权利要求6所述的一种使用外部pnp对集成高压大电流实现功率分配电路,其特征在于,所述跨导放大器(5)包括mos管pm11、mos管pm12、mos管pm13、mos管pm14、mos管nm11、mos管nm12、mos管nm13和mos管pnm14;mos管pm11的栅极与mos管nm1的源极连接,mos管pm11的栅极为跨导放大器(5)的输入负端;mos管pm12的栅极与数模转化器(4)的输出端vdac连接,mos管pm12的栅极为跨导放大器(5)的输入正端;
8.根据权利要求7所述的一种使用外部pnp对集成高压大电流实现功率分配电路,其特征在于,所述跨导放大器(5)中的mos管nm11的源极、mos管nm12的源极、mos管nm13的源极和mos管pnm14的源极都接地。
技术总结
本发明公开了一种使用外部PNP对集成高压大电流实现功率分配电路,属于模拟电路设计领域,包括高压LDO模块、电流检测器、数字控制器、数字电流转换器和外部PNP,所述误差放大器的输出端同时与MOS管PM1的栅极、MOS管PM2的栅极连接,MOS管PM2的漏极与电流检测器的输入端连接,电流检测器与数字控制器中的升降计数器连接;升降计数器数字电流转换器中的数模转化器连接,数模转化器与跨导放大器连接,跨导放大器的输出端与MOS管NM1的栅极连接,MOS管NM1的漏极与外部PNP中的三极管Q1的基极连接。本发明通过外部PNP晶体管和LDO芯片并联实现功率分配的集成方案,实现了功率分配和布板面积优化的最优结果,结构简单,成本低廉,很好的满足现有的需求。
技术研发人员:潘俊,邱雷,何龙,叶升
受保护的技术使用者:上海明达微电子有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/12/2
技术研发人员:潘俊,邱雷,何龙,叶升
技术所有人:上海明达微电子有限公司
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