一种基于MPCVD设备的杂质分离气路系统及控制方法与流程
技术特征:
1.一种基于mpcvd设备的杂质分离气路系统,其特征在于,所述基于mpcvd设备的杂质分离气路系统包括:反应腔体、杂质分离设备以及排气设备,所述反应腔体、所述杂质分离设备以及所述排气设备依次连接;
2.根据权利要求1所述的基于mpcvd设备的杂质分离气路系统,其特征在于,所述基于mpcvd设备的杂质分离气路系统还包括:真空泵;
3.根据权利要求2所述的基于mpcvd设备的杂质分离气路系统,其特征在于,所述第一排气设备包括第一管道和第一阀门;所述第二排气设备包括第二管道、第二阀门以及比例阀门;
4.根据权利要求3所述的基于mpcvd设备的杂质分离气路系统,其特征在于,所述基于mpcvd设备的杂质分离气路系统还包括:压差阀门;
5.一种基于权利要求1-4任一项所述的基于mpcvd设备的杂质分离气路系统的控制方法,其特征在于,所述基于mpcvd设备的杂质分离气路系统的控制方法包括:
6.根据权利要求5所述的基于mpcvd设备的杂质分离气路系统的控制方法,其特征在于,所述反应腔体获取输入的反应气体的气体流量,所述排气设备控制所述气体流量维持在预设气体流量范围,以保证金刚石的正常生长,之前还包括:
7.根据权利要求6所述的基于mpcvd设备的杂质分离气路系统的控制方法,其特征在于,所述真空泵对所述反应腔体进行抽真空处理,当所述反应腔体的腔内气压达到预设气压值时,抽真空处理完成,具体包括:
8.根据权利要求7所述的基于mpcvd设备的杂质分离气路系统的控制方法,其特征在于,所述反应腔体获取输入的反应气体的气体流量,所述排气设备控制所述气体流量维持在预设气体流量范围,以保证金刚石的正常生长,具体包括:
9.根据权利要求7所述的基于mpcvd设备的杂质分离气路系统的控制方法,其特征在于,所述杂质分离结果包括杂质以及无杂质气体;
10.根据权利要求7所述的基于mpcvd设备的杂质分离气路系统的控制方法,其特征在于,所述第一阀门和所述第二阀门为气动阀门或电动阀门。
技术总结
本发明公开了一种基于MPCVD设备的杂质分离气路系统及控制方法,所述基于MPCVD设备的杂质分离气路系统包括:反应腔体、杂质分离设备以及排气设备,反应腔体、杂质分离设备以及排气设备依次连接;所述反应腔体用于进行金刚石培育,并将金刚石培育过程中产生的腔内气体输出至所述杂质分离设备;所述杂质分离设备用于接收所述反应腔体输出的所述腔内气体,对所述腔内气体进行杂质分离,得到杂质以及无杂质气体,将所述杂质进行沉积处理,并将所述无杂质气体输出至所述排气设备;所述排气设备用于接收所述杂质分离设备输出的无杂质气体,并将所述无杂质气体输出至指定位置。本发明能够防止排气设备被堵塞,有效保证了金刚石的正常培育。
技术研发人员:李长辉,全峰
受保护的技术使用者:深圳优普莱等离子体技术有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/26
技术研发人员:李长辉,全峰
技术所有人:深圳优普莱等离子体技术有限公司
备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
声 明 :此信息收集于网络,如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们,我们会在第一时间删除
