一种图形化良好附着力的高反射层及其制备方法和应用与流程

1.一种图形化良好附着力的高反射层，其特征在于，所述高反射层包括自下而上依次位于表面改性玻璃衬底上的n(si/w)层、梯度w-cr合金层、cr层、二氧化硅层、图形化反射层；

2.如权利要求1所述的图形化良好附着力的高反射层，其特征在于，所述波浪状界面的平均振幅高度为0.5~1.6nm，平均宽度为3.0~5.5nm。

3.如权利要求1所述的图形化良好附着力的高反射层，其特征在于，所述梯度w-cr合金层的厚度为5~15nm；

4.如权利要求1~3中任意一项所述的图形化良好附着力的高反射层的制备方法，包括以下步骤：

5.如权利要求4所述的图形化良好附着力的高反射层的制备方法，其特征在于，所述步骤s3中cr层的制备参数为：采用磁控溅射法，以纯度为99.95%的cr为靶材，以流量为30~60sccm的99.999%的氩气为气氛，溅射功率150~200w；沉积速率为0.50~0.90 nm/s；

6.一种如权利要求1~3中任意一项所述的高反射层或如权利要求4~5中任意一项所述制备方法制备得到的高反射层在光刻掩膜版、光学系统或半导体制造领域中的应用。