一种晶体硅-宽带隙化合物异质结太阳电池制备方法

1.一种过渡金属氧化物原位改性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的过渡金属氧化物原位改性的方法，其特征在于，所述纯过渡金属氧化物的制备过程为：将p型硅片放入等离子体增强原子层沉积腔体，腔体温度为100-350℃，打开机械泵开关对腔体抽真空，通过n次的过渡金属前驱体与氧前驱体的循环生长纯过渡金属氧化物薄膜；所述过渡金属前驱体为六羰基钼、六羰基钨、三异丙氧基氧化钒、二甲胺基钼、三羰基环庚三烯基钼、钒酰丁酮酸乙酯酰胺、乙酸钒、二甲基乙烯二胺钒中的一种；所述氧前驱体为去离子水或臭氧。

3.根据权利要求1所述的过渡金属氧化物原位改性的方法，其特征在于，所述n的取值为5-100，所述n的取值为1-40。

4.根据权利要求1所述的过渡金属氧化物原位改性的方法，其特征在于，加入所述改性气体等离子体处理的气流量为100-140sccm，功率为20-250w，一次改性气体等离子体处理的时间为0.5-1200s。

5.根据权利要求3所述的过渡金属氧化物原位改性的方法，其特征在于，当所述改性气体为含氢气体时，所述n的取值为5-10，所述n的取值为10-20；当所述改性气体为氧气时，所述n的取值为40-60，所述n的取值为1-3。

6.根据权利要求4所述的过渡金属氧化物原位改性的方法，其特征在于，当所述改性气体为含氢气体时，一次改性气体等离子体处理的时间为2-4s；当所述改性气体为氧气时，一次改性气体等离子体处理的时间为1-3s。

7.一种异质结太阳电池，其特征在于，所述异质结太阳电池的结构包括空穴传输层，所述空穴传输层通过权利要求1-6任一项所述的过渡金属氧化物原位改性的方法制备得到。

8.根据权利要求7所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述异质结太阳电池的结构由下至上依次包括：背面全面积电极、空穴传输层、硅衬底、n+/n++掺杂层、钝化层、减反层、栅线电极；

9.一种权利要求7或8所述的异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

10.根据权利要求9所述的异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述pn结的深度为150-300nm，所述钝化层的厚度为10-20nm，所述减反层的厚度为60-80nm，所述空穴传输层的厚度为2-13nm。