一种将OLED和光晶体管集成装置和电子束刻蚀方法

1.一种将oled和光晶体管集成装置，其特征在于，包括oled和光晶体管，所述oled包括基片(1)、位于所述基片(1)上方的反射阴极(2)、位于所述反射阴极(2)上方的发光层兼电子传输层(3)、位于所述发光层兼电子传输层(3)上方的空穴传输层(4)、位于所述空穴传输层(4)上方的半透明阳极(5)、位于所述半透明阳极(5)上方的电子束光刻胶(6)；所述光晶体管包括位于所述半透明阳极(5)一侧上方的漏极(7)、位于所述电子束光刻胶(6)一侧的源极(9)、位于所述电子束光刻胶(6)上方的导电沟道(8)、位于所述导电沟道(8)上方的栅极绝缘层(10)、位于所述栅极绝缘层(10)上方的栅极(11)；所述导电沟道(8)位于所述源极(9)和漏极(7)之间，所述源极(9)位于远离漏极一侧的电子束光刻胶(6)上。

2.根据权利要求1所述的将oled和光晶体管集成装置，其特征在于，所述栅极(11)、源极(9)和漏极(7)材料为au，所述栅极绝缘层(10)材料为二氧化硅，所述导电沟道(8)材料为石墨烯。

3.根据权利要求2所述的将oled和光晶体管集成装置，其特征在于，所述栅极(11)au厚度为30nm～80nm，所述栅极绝缘层(10)二氧化硅厚度为200nm～300nm，所述源极(9)au厚度为30nm～80nm，所述漏极(7)au厚度为150nm～180nm，所述导电沟道(8)的石墨烯为1～5层石墨烯原子，厚度为0.3nm～1.6nm。

4.根据权利要求1所述的将oled和光晶体管集成装置，其特征在于，所述电子束光刻胶(6)材料为聚甲基丙烯酸甲酯，所述电子束光刻胶(6)厚度为120nm～160nm；所述半透明阳极(5)为ag/moox复合半透明阳极，所述ag/moox厚度为30nm～80nm/5nm～10nm；所述空穴传输层(4)材料为npb，所述npb厚度为30nm～60nm；所述发光层兼电子传输层(3)材料为alq3，所述alq3厚度为30nm～60nm；所述反射阴极(2)为ag/al合金；所述ag、al金属按质量比例75-80％:25-20％混合。

5.一种对根据权利要求1-4任一项所述将oled和光晶体管集成装置的电子束刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

6.根据权利要求5所述的将oled和光晶体管集成的电子束刻蚀方法，其特征在于，所述步骤(1)具体步骤为将基片(1)依次浸泡在丙酮、异丙醇、超纯水中，浸泡在超声波水浴中清洗20min，取出后，用氮气吹干。

7.根据权利要求5所述的将oled和光晶体管集成的电子束刻蚀方法，其特征在于，所述步骤(2)包括以下步骤：

8.根据权利要求5所述的将oled和光晶体管集成的电子束刻蚀方法，其特征在于，所述步骤(3)包括以下步骤：

9.根据权利要求5所述的将oled和光晶体管集成的电子束刻蚀方法，其特征在于，所述步骤(4)包括以下步骤：

10.根据权利要求5所述的将oled和光晶体管集成的电子束刻蚀方法，其特征在于，所述步骤(5)包括以下步骤：