基于计算流体力学空间模型的镀件双面水洗控制的优化方法与流程

1.一种基于计算流体力学空间模型的镀件双面水洗控制的优化方法，应用于电子电镀工艺中对半导体器件的双面水洗过程，其特征在于，使用双面清洗装置对所述半导体器件进行双面水洗，通过使用所述优化方法计算并调整各项清洗条件以构建双面清洗效果最佳、半导体器件成品质量最佳的双面清洗装置；

2.根据权利要求1所述的一种基于计算流体力学空间模型的镀件双面水洗控制的优化方法，其特征在于，所述s1中，构建与所述数据库链接的初期计算流体力学空间模型的过程中，包括使用comsol multiphysics 有限元仿真软件，采用流体二次分布模块和变形几何模块模拟半导体器件双面水洗过程。

3.根据权利要求2所述的一种基于计算流体力学空间模型的镀件双面水洗控制的优化方法，其特征在于，所述双面水洗过程中使用的双面清洗装置包括依次连接的多级水槽单元，当第一级水槽单元配置有定量补加纯水管道时，第一级水槽单元内的水积累后会逐级溢流至后级水槽单元并形成逐级溢流的结构；每级水槽单元包括从上至下依次设置的上侧泵浦、上侧分流板、上侧出水隔板、下侧出水隔板、下侧分流板、下侧泵浦，所述上侧出水隔板、下侧出水隔板之间设置有空腔，所述空腔为双面清洗区域；上侧泵浦和下侧泵浦均用于调控电镀溶液的流量。

4.根据权利要求3所述的一种基于计算流体力学空间模型的镀件双面水洗控制的优化方法，其特征在于，所述双面清洗装置包括三级以上、七级以下的水槽单元。

5.根据权利要求3所述的一种基于计算流体力学空间模型的镀件双面水洗控制的优化方法，其特征在于，所述s1中还包括如下步骤：

6.根据权利要求5所述的一种基于计算流体力学空间模型的镀件双面水洗控制的优化方法，其特征在于，所述清洗条件包括：标准半导体器件双面面积、清洗时间、电子电镀模具出口平面与电镀溶液流动方向形成的夹角、清洗溶液温度、清洗溶液比重、泵浦频率、清洗溶液隔板出口直径、标准半导体器件水平面与溶液出口垂直距离和联通管道直径。

7.根据权利要求1所述的一种基于计算流体力学空间模型的镀件双面水洗控制的优化方法，其特征在于，所述初期cfd空间模型、升级cfd空间模型、应用cfd空间模型均采用无穷小流体元方法构建方程组进行计算。

8.根据权利要求7所述的一种基于计算流体力学空间模型的镀件双面水洗控制的优化方法，其特征在于，所述无限小流体元方法具体包括如下步骤：

9.权利要求8所述的一种基于计算流体力学空间模型的镀件双面水洗控制的优化方法，其特征在于，所述方程a左端的物理意义是无穷小流体元从位置1运动到位置2，其密度随时间的平均变化率，在极限运算中，当t2 接近于 t1，时，可以得到：

10.权利要求1-9任一所述的一种基于计算流体力学空间模型的镀件双面水洗控制的优化方法在半导体集成电路电子产品的纳米精密制造加工中的应用。