一种自适应衬底电位产生电路及其应用的制作方法

1.一种自适应衬底电位产生电路，其特征在于，包括：用于检测外部对管工作状态的状态检测电路、用于自适应为外部对管提供衬底偏置电位的输出电位控制电路、用于为所述状态检测电路和所述输出电位控制电路供电的电流镜电路以及与外部连接的vsense1、vsense2、vsense3、vbulk、vdd、gnd和ib七个端口；

2.根据权利要求1所述的自适应衬底电位产生电路，其特征在于，所述输出电位控制电路包括第三至第五nmos管、第八nmos管、第四至第八pmos管、第二拉偏电阻以及补偿电容，其中，第四pmos管、第五pmos管、第三nmos管和第四nmos管构成第一级运放，第五nmos管和第六pmos管构成第二级运放，第七pmos管构成第三级运放；

3.根据权利要求2所述的自适应衬底电位产生电路，其特征在于，所述电流镜电路包括第六至第七nmos管以及第十pmos管；第七nmos管的漏极连接ib端口，第七nmos管的栅极与第六nmos管的栅极连接，第七nmos管的源极、第六nmos管的源极和第八nmos管的源极接gnd端口，第六nmos管的漏极与第十pmos管的漏极连接，第十pmos管的源极接vdd端口，第十pmos管的栅极与第九pmos管的栅极、第八pmos管的栅极连接，第十pmos管的栅极与漏极相接。

4.根据权利要求1所述的自适应衬底电位产生电路，其特征在于，所述外部对管包括第十一和第十二pmos管；第十一pmos管、第十二pmos管的源极分别与vsense1端口连接，第十一pmos管的漏极连接vsense2端口，第十二pmos管的漏极连接vsense3端口，第十一pmos管、第十二pmos管的衬底分别与vbulk端口连接，第十一pmos管、第十二pmos管的栅极分别连接共模信号输入端。

5.根据权利要求3所述的自适应衬底电位产生电路，其特征在于，所述第一nmos管、第二nmos管、第六nmos管、第七nmos管和第八nmos管均为电流镜管，第六至第十pmos管均为电流镜管。

6.根据权利要求1所述的自适应衬底电位产生电路，其特征在于，所述第一pmos管与第二pmos管的尺寸比为1:1，第三pmos管与第一pmos管的尺寸比为2:1，第四pmos管与第五pmos管的尺寸比为1:1，第一nmos管与第二nmos管的尺寸比为1:1，第三nmos管与第四nmos管的尺寸比为1:1。

7.一种芯片电路，其特征在于，所述芯片电路中包括如权利要求1- 6中任一项所述的自适应衬底电位产生电路。