一种发光材料组合物及其相关装置的制作方法

本技术涉及显示，更具体地，涉及一种发光材料组合物及其相关装置。

背景技术：

1、量子点发光器件因具有广色域,制作成本低,发光谱线可调以及光照下稳定性好而受到广泛关注,因此很可能取代oled成为下一代的核心显示装置件。

2、量子点发光器件一般分为电致发光和光致发光。其中，量子点电致发光器件的工作原理是通过电致产生激子，使电子和空穴复合从而使量子点发光。由于量子点电致发光器件中，量子点发光层一般位于空穴功能层和电子功能层之间，因此量子点发光层的致密性对量子点电致发光器件的性能有重要影响。

3、现有的发光材料组合物，尤其是当发光材料组合物中含有大量红光量子点时，发光材料组合物在制备成膜层后形成量子点发光层，膜层会由于量子点粒径尺寸较大从而使所制备出来的量子发光层表面疏松多孔，疏松多孔的量子点发光层会导致设置在量子点荧光层两侧不同性质的功能层(电子传输层/空穴传输层)能够经过量子点发光层的针孔而发生接触，从而引起较大的漏电流，产生大量的焦耳热，并加速空穴传输层等有机层的老化。

技术实现思路

1、本技术实施例所要解决的技术问题是现有的现有的发光材料组合物在制备成量子点发光层后，量子发光层表面疏松多孔，会引起较大漏电流。

2、为了解决上述技术问题，本技术实施例提供一种发光材料组合物，采用了如下所述的技术方案：

3、一种发光材料组合物，所述发光材料组合物包括主量子点和掺杂量子点，所述掺杂量子点的粒径小于所述主量子点的粒径，所述主量子点为红光量子点和绿光量子点中的一种，所述掺杂量子点包括绿光量子点和蓝光量子点中的至少一种。

4、进一步的，所述主量子点和所述掺杂量子点的粒径比为1：(0.7-0.05)；

5、和/或，所述主量子点的平均粒径为20-55nm，所述掺杂量子点的平均粒径为1-28nm。

6、进一步的，所述发光材料组合物中，以重量份数计，所述主量子点为98-99.99份，所述掺杂量子点为0.01-2份。

7、进一步的，所述掺杂量子点的价带深于所述主量子点的价带，所述掺杂量子点的导带高于所述主量子点的导带。

8、进一步的，所述主量子点为红光量子点，所述掺杂量子点包括绿光量子点和蓝光量子点，所述蓝光量子点的粒径小于所述绿光量子点的粒径。

9、进一步的，所述绿光量子点和所述蓝光量子点的质量份数比例为1：(0.25-4)；

10、和/或，所述红光量子点、所述绿光量子点和所述蓝光量子点的价带依次递深；所述红光量子点、所述绿光量子点、所述蓝光量子点的导带依次递高；

11、和/或，所述红光量子点、所述绿光量子点和所述蓝光量子点的粒径比为1：(0.25-0.7)：(0.05-0.49)；

12、和/或，所述主量子点和所述掺杂量子点的量子点材料相同。

13、进一步的，所述主量子点和所述掺杂量子点分别独立地选自硅量子点、锗量子点、硫化物量子点、硒化物量子点、碲化物量子点、磷化物量子点、砷化物量子点及硫铟铜量子点中的一种或多种；

14、和/或，所述主量子点和所述掺杂量子点分别独立地选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点的材料选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种；

15、其中，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种；

16、所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete及snpbste中的至少一种；

17、所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种；

18、所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种；

19、所述核壳结构量子点的核包括单一结构量子点中的任意一种，核壳结构量子点的壳层材料包括cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses、zns和单一结构量子点中的至少一种；

20、和/或，所述主量子点和所述掺杂量子点表面均结合有配体，所述配体包括氨基、巯基、羧基及羟基基团中的一种或多种；

21、和/或，所述配体包括酸配体、硫醇配体、胺配体、氧膦配体、磷脂、软磷脂及聚乙烯基吡啶中的至少一种；

22、可选地，所述酸配体包括甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、十二烷酸、十六烷酸、十八烷酸、苯甲酸、癸酸、十一烯酸、十四酸、油酸及硬脂酸中的至少一种；

23、可选地，硫醇配体包括甲硫醇、乙硫醇、丙硫醇、丁硫醇、戊硫醇、己硫醇、辛硫醇、十六烷硫醇、苄硫醇、十二烷基硫醇和十八烷基硫醇中的至少一种；

24、可选地，胺配体包括甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、戊胺、己胺、辛胺、壬胺、癸胺、十二烷基胺、十六烷基胺、二甲基胺、二乙基胺、二丙基胺、三丁基胺、三辛基胺、油胺及十八烷基胺中的至少一种；

25、可选地，膦配体包括甲基膦、乙基膦、丙基膦、丁基膦、戊基膦、辛基膦、二辛基膦、三丁基膦、三辛基膦、三己基膦及三壬基膦中的至少一种；

26、可选地，氧膦配体包括三丁基氧膦、三辛基氧膦、三己基氧膦及三壬基氧膦中的至少一种。

27、为了解决上述技术问题，本技术实施例提供一种发光器件，采用了如下所述的技术方案：

28、所述发光器件包括层叠设置的第一电极、量子点发光层和第二电极；

29、其中，所述量子点发光层的材料包括如上述任一方案所述的发光材料组合物。

30、进一步的，所述第一电极和所述第二电极分别各自独立地包括掺杂金属氧化物电极、复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极、金属单质电极或合金电极，所述掺杂金属氧化物电极的材料包括铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌、铝掺杂氧化镁、镉掺杂氧化锌中的一种或多种，所述复合电极包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns、zns/al/zns、ca/al、lif/ca、lif/al、baf2/al、csf/al、caco3/al或baf2/ca/al，所述金属单质电极的材料包括ag、ni、pt、au、ir、cu、mo、al、ca、mg及ba中的一种或多种，所述合金电极包括au:mg合金电极或ag:mg合金电极；

31、和/或，所述发光器件还包括第一载流子功能层和/或第二载流子功能层，所述第一载流子功能层设置在所述第一电极与所述量子点发光层之间，所述第二载流子功能层设置在所述第二电极与所述量子点发光层之间；

32、其中，第一载流子功能层选自空穴功能层或电子功能层，所述第二载流子功能层选自空穴功能层或电子功能层，所述第一载流子功能层和所述第二载流子功能层中的一者选自空穴功能层，另一者选自电子功能层；

33、所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，当所述空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层两层时，所述空穴传输层靠近所述量子点发光层一侧设置，所述空穴注入层远离所述量子点发光层一侧设置；所述空穴传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(n,n’-双(4-丁基苯基)-n,n’-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-n,n-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4’-二(9-咔唑)联苯、n,n’-二苯基-n,n’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、n,n’-二苯基-n,n’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、spiro-npb、spiro-tpd、掺杂或非掺杂的nio、moo3、wo3、v2o5、p型氮化镓、cro3、cuo、mos2、mose2、ws3、wse3、cus、cuscn中的一种或多种；

34、所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸、2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、酞菁铜、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种；其中，所述过渡金属氧化物包括nio、moo2、wo3、cuo中的一种或多种；所述金属硫系化合物包括mos2、mose2、ws3、wse3、cus中的一种或多种；

35、和/或，所述电子功能层包括电子注入层和/或电子传输层，当所述电子功能层包括电子注入层和电子传输层两层时，所述电子传输层靠近所述量子点发光层一侧设置，所述电子注入层远离所述量子点发光层一侧设置；

36、其中，所述电子传输层的材料选自掺杂或非掺杂无机纳米晶中的至少一种，其中，所述非掺杂无机纳米晶选自zno、tio2、sno2、al2o3、gao、ga2o3、zro2、fe2o3、cro3、wo3、cdo、cuo、moo2、zns、znse、cds、inp、gap、lif，lif/yb、mgp、mgf2、ga2o3、cs2co3、rb2co3、rbbr中的一种或多种；所述掺杂无机纳米晶中包括第二非掺杂无机纳米晶和掺杂元素，所述第二非掺杂无机纳米晶选自zno、tio2、sno2、al2o3、gao、ga2o3、zro2、fe2o3、cro3、wo3、cdo、cuo、moo2、zns、znse、cds、i np、gap、lif，lif/yb、mgp、mgf2、ga2o3、cs2co3、rb2co3、rbbr中的一种或多种，所述掺杂元素选自于mg、ca、li、ga、al、co、mn中的一种或多种；

37、所述电子注入层的材料选自lif，lif/yb、mgp、mgf2、al2o3、ga2o3、zno、cs2co3、rb2co3、rbbr中的至少一种。

38、为了解决上述技术问题，本技术实施例还提供一种显示装置，采用了如下所述的技术方案：

39、该显示装置包括如上述任一方案提供的发光器件。

40、与现有技术相比，本技术实施例主要有以下有益效果：

41、本技术通过掺杂量子点和主量子点混合组成发光材料组合物，使发光材料组合物中同时含有粒径较小的掺杂量子点和粒径较大的主量子点，通过粒径较小的掺杂量子点填充粒径较大的主量子点的间隙和针孔，由本技术提供的发光材料组合物在制成量子点发光层后，能够改善量子点发光层的膜层致密性，阻止空穴功能层和电子功能层之间的接触，从而减少漏电流，提高发光器件的稳定性。