一种校验IGBT短路type1行为仿真模型的频域分析方法与流程
技术特征：
1.一种校验igbt短路type1行为仿真模型的频域分析方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的校验igbt短路type1行为仿真模型的频域分析方法，其特征在于，所述步骤s100中，基波频率f=1/t，其中t为type1短路行为波形持续时长，dft分析的最高频率定为基波频率的100倍。
3.根据权利要求2所述的校验igbt短路type1行为仿真模型的频域分析方法，其特征在于，所述步骤s100中，type1短路行为开始时刻前0.5us，至type1短路行为结束后0.5us。
4.根据权利要求1所述的校验igbt短路type1行为仿真模型的频域分析方法，其特征在于，所述步骤s200中，电压频域评估pv计算为：
5.根据权利要求4所述的校验igbt短路type1行为仿真模型的频域分析方法，其特征在于，所述电压频域评估pv通过以下过程得到：
6.根据权利要求4所述的校验igbt短路type1行为仿真模型的频域分析方法，其特征在于，所述步骤s200中，nv由下式约束：
7.根据权利要求1所述的校验igbt短路type1行为仿真模型的频域分析方法，其特征在于，所述步骤s300中，电流频域评估pi为：
8.根据权利要求1所述的校验igbt短路type1行为仿真模型的频域分析方法，其特征在于，所述步骤s300中，电流频域评估pi通过以下过程得到：
9.根据权利要求1所述的校验igbt短路type1行为仿真模型的频域分析方法，其特征在于，所述步骤s400中，igbt器件短路type1行为失效仿真模型的频域分析指标p为：
技术总结
本发明属于半导体技术领域，具体是一种校验IGBT短路type1行为仿真模型的频域分析方法。包括：S100：根据短路持续时间计算DFT分析的基波频率；S200：计算频域分析下的电压频域评估P<subgt;V</subgt;；S300：计算频域分析下的电流频域评估P<subgt;I</subgt;；S400：根据电压频域评估P<subgt;V</subgt;和电流频域评估P<subgt;I</subgt;计算总的频域评估指标P，作为不同短路type1失效仿真模型的有效性衡量指标。本发明对于变频器等装置的全工况设计和选型提供了更好的支持，提高了设计的效率，同时降低了研发的周期和成本。
技术研发人员：崔京港,冯高辉,金江,刘继全,程江涛,布朋生,姜铭,曹建文,田原,阎志伟,赵永红,袁晓明,陈宁,马福文,乔佳伟
受保护的技术使用者：中国煤炭科工集团太原研究院有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/28
文档序号 :
【 40163896 】
技术研发人员：崔京港,冯高辉,金江,刘继全,程江涛,布朋生,姜铭,曹建文,田原,阎志伟,赵永红,袁晓明,陈宁,马福文,乔佳伟
技术所有人：中国煤炭科工集团太原研究院有限公司
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
声 明 ：此信息收集于网络，如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们，我们会在第一时间删除
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