一种提高GaN功率放大器线性度的电路结构的制作方法

本发明涉及功率放大器，具体地，涉及一种提高gan功率放大器线性度的电路结构。

背景技术：

1、在现有的gan功率放大器设计中，为了提高线性度，通常采用以下几种技术方案：1.增益扩展技术：通过对放大器增益特性进行扩展，以减少非线性失真；2.前馈校正技术：利用前馈信号来补偿主信号的非线性失真；3.预失真技术：在输入信号上预先加入反向非线性失真，以在输出信号中抵消放大器的非线性失真。但是上述三种方案都存在着各自的问题，例如：增益扩展技术在高频应用中效果有限，难以在宽带情况下实现良好的线性度提升；前馈校正技术复杂，设计难度大，成本高；预失真技术在高功率应用中效果不稳定。

2、因此，提供一种在使用过程中可以解决现有技术中存在的线性度提升效果有限、设计复杂度高、成本高及高功率应用中效果不稳定等问题，以实现更稳定、更高效的线性度提升的提高gan功率放大器线性度的电路结构是本发明亟需解决的问题。

技术实现思路

1、针对上述技术问题，本发明的目的是克服现有技术中的功率放大器存在的线性度提升效果有限、设计复杂度高、成本高及高功率应用中效果不稳定等问题，从而提供一种在使用过程中可以实现更稳定、更高效的线性度提升的提高gan功率放大器线性度的电路结构。

2、为了实现上述目的，本发明提供了一种提高gan功率放大器线性度的电路结构，所述电路结构包括：有源偏置电路和预失真线性化电路；其中，

3、所述有源偏置电路的输出端与功率放大器电路的偏置信号输入端相连，以用于为所述功率放大器电路摒除输入信号的电压波动以及为其提供偏置电压；所述预失真线性化电路的输出端也与功率放大器电路的输入端相连。

4、优选地，所述有源偏置电路包括：第一双极型晶体管m1、第二双极型晶体管、第一电阻、第二电阻以及第三电阻；

5、所述第二双极型晶体管的基极作为输入端，其集电极接供电电压，其发射极与所述第三电阻的一端相连，所述第三电阻的另一端作为有源偏置电路的输出端，二极管接法的第一双极型晶体管的发射极接地，其集电极一方面与第二双极型晶体管的基极相连，另一方面还与第一电阻的一端相连，该第一电阻的另一端接供电电压，所述第一双极型晶体管的基极与第二电阻的一端相连，该第二电阻的另一端与第二双极型晶体管的发射极相连。

6、优选地，所述预失真线性化电路包括：并联的二极管以及第一电容，其中，

7、所述二极管的阳极与第一电容的一端连接后作为预失真线性化电路的输入端，并且与有源偏置电路的输出端相连，所述二极管的阴极与第一电容的另一端连接后接地。

8、优选地，所述二极管为肖特基二极管。

9、根据上述技术方案，本发明提供的提高gan功率放大器线性度的电路结构在使用时的有益效果为：本发明首次将有源偏置技术和预失真技术综合考虑，提出一种新型的提高功率放大器的线性度的电路结构，在此种结构中，利用有源偏置电路处理电源电压的电压波动对有源偏置电路输出偏置电压的影响，此结构亦可摒除输入信号的电压波动对功率放大器的影响，同时为射频放大器电路提供偏置电压，从而有效提高射频放大器的线性度指标，而且预失真线性化电路也可以提高功率放大器线性度指标。相比传统的增益扩展技术，本发明在宽带和高频应用中均能实现显著的线性度提升，并且设计复杂度低，相比前馈校正技术，本发明的电路结构相对简单，降低了设计难度和成本，适用于高功率应用，通过动态调整偏置电压，本发明在高功率条件下能保持稳定的线性度提升效果。

10、本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明；而且本发明中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。

1.一种提高gan功率放大器线性度的电路结构，其特征在于，所述电路结构包括：有源偏置电路和预失真线性化电路；其中，

2.根据权利要求1所述的提高gan功率放大器线性度的电路结构，其特征在于，所述有源偏置电路包括：第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第一电阻、第二电阻以及第三电阻；

3.根据权利要求1所述的提高gan功率放大器线性度的电路结构，其特征在于，所述预失真线性化电路包括：并联的二极管以及第一电容，其中，

4.根据权利要求3所述的提高gan功率放大器线性度的电路结构，其特征在于，所述二极管为肖特基二极管。