一种基板及其制备方法、显示面板、显示装置与流程

本公开涉及显示，尤其涉及一种基板及其制备方法、显示面板、显示装置。

背景技术：

1、相关技术中，基板在采用顶栅型薄膜晶体管(tft)时，有源层上方设置绝缘层，源极和漏极设置在绝缘层上方，源极和漏极通过贯穿绝缘层的过孔与有源层连接。采用顶栅型薄膜晶体管的显示产品，存在tft开启电流过低甚至无法开启的问题，影响了显示产品的品质。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种基板及其制备方法、显示面板、显示装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

2、作为本公开实施例的第一方面，本公开实施例提供一种基板，包括

3、衬底；

4、第一金属层，位于衬底的一侧，第一金属层包括信号线；

5、第一绝缘层，位于第一金属层的背离衬底的一侧；

6、有源层，位于第一绝缘层的背离衬底的一侧；

7、第二绝缘层，位于有源层的背离衬底的一侧，第二绝缘层设置有第一过孔，第一过孔包括相互连通的第一子孔和第二子孔，第一子孔贯穿第二绝缘层，有源层的部分表面位于第一子孔所在区域，第二子孔贯穿第二绝缘层和第一绝缘层，信号线的部分表面位于第二子孔所在区域，有源层与第一子孔的交叠部分包括第一子部分和第二子部分，第二子部分相对第一子部分靠近第二子孔，第一子部分相对于第二子部分朝向衬底方向凹陷而形成第一凹陷表面，第一凹陷表面被导体化预设厚度；

8、第二金属层，位于第二绝缘层的背离衬底的一侧，第二金属层包括第一极，第一极通过第一子孔与第二子部分的表面搭接，第一极通过第二子孔与信号线连接。

9、在一些可能的实现方式中，第二绝缘层夹设于第二金属层与第一绝缘层之间，有源层包括沟道区域，有源层还包括位于第一极与沟道区域之间且位于第一过孔之外区域的第五子部分，第五子部分的厚度大于第二子部分的厚度。

10、在一些可能的实现方式中，第五子部分在第一方向的尺寸大于等于100埃米，第五子部分在第一方向的尺寸小于等于沟道区域在第一方向的尺寸，和/或，

11、第二子部分在第一方向的尺寸大于等于100埃米，第二子部分在第一方向的尺寸小于沟道区域在第一方向的尺寸，第一方向为垂直于衬底的方向。

12、在一些可能的实现方式中，第五子部分在第一方向的尺寸大于等于100埃米，第五子部分在第一方向的尺寸小于等于沟道区域在第一方向的尺寸，沟道区域在第一方向的尺寸为200埃米-1000埃米，第一方向为垂直于衬底的方向。

13、在一些可能的实现方式中，第二金属层还包括栅极和第二极，第一极和第二极位于栅极的两侧，第二绝缘层还设置有第二过孔，第二过孔贯穿第二绝缘层，有源层的部分表面位于第二过孔所在区域，有源层与第二过孔的交叠部分包括第三子部分和第四子部分，第三子部分相对第四子部分靠近栅极，第二极通过第二过孔与第四子部分的表面搭接连接，第三子部分相对于第四子部分朝向衬底方向凹陷而形成第二凹陷表面，第二凹陷表面被导体化预设厚度。

14、在一些可能的实现方式中，第四子部分在第一方向的尺寸大于等于100埃米，第一方向为垂直于衬底的方向。

15、在一些可能的实现方式中，基板还包括依次设置在第二金属层的背离衬底一侧的第三绝缘层、平坦层和电极层，电极层与第二极连接。

16、在一些可能的实现方式中，有源层的材质包括氧化物半导体。

17、一种作为本公开实施例的第二方面，本公开实施例提供一种基板的制备方法，包括

18、在衬底一侧形成第一金属层，第一金属层包括信号线；

19、在第一金属层的背离衬底的一侧形成第一绝缘层；

20、在第一绝缘层的背离衬底的一侧形成有源层；

21、在有源层的背离衬底的一侧沉积第二绝缘层，对第二绝缘层进行图案化处理形成第一过孔，第一过孔包括相互连通的第一子孔和第二子孔，第一子孔贯穿第二绝缘层，有源层的部分表面位于第一子孔所在区域，第二子孔贯穿第二绝缘层和第一绝缘层，信号线的部分表面位于第二子孔所在区域；有源层与第一子孔的交叠部分包括第一子部分和第二子部分，第二子部分相对第一子部分靠近第二子孔；

22、在第二绝缘层的背离衬底的一侧形成第二金属层，第二金属层包括第一极，第一极通过第一子孔与第二子部分的表面搭接，第一极通过第二子孔与信号线连接；

23、方法还包括：

24、对第一子部分进行刻蚀，使得第一子部分相对于第二子部分朝向衬底方向凹陷形成第一凹陷表面，对有源层进行导体化，第一凹陷表面被导体化预设厚度。

25、在一些可能的实现方式中，对第一子部分进行刻蚀，包括

26、采用第二金属层作为掩膜，采用刻蚀工艺去除位于第二金属层之外的第二绝缘层，第一子部分的远离衬底的一侧形成刻蚀损伤，使得第一子部分相对于第二子部分朝向衬底方向凹陷而形成第一凹陷表面。

27、在一些可能的实现方式中，第二金属层还包括栅极和第二极，方法还包括

28、对第二绝缘层进行图案化处理形成第二过孔，第二过孔贯穿第二绝缘层，有源层的部分表面位于第二过孔所在区域，有源层与第二过孔的交叠部分包括第三子部分和第四子部分，第三子部分相对第四子部分靠近栅极，第二极通过第二过孔与第四子部分的表面搭接连接；

29、在采用刻蚀工艺去除位于第二金属层之外的第二绝缘层的过程中，第四子部分的远离衬底的一侧形成刻蚀损伤，使得第四子部分相对于第三子部分朝向衬底方向凹陷而形成第二凹陷表面。

30、作为本公开实施例的第三方面，本公开实施例提供一种显示面板，包括第一方面任一公开实施例的基板。

31、作为本公开实施例的第四方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括第一方面任一公开实施例的基板或者第三方面任一公开实施例的显示面板。

32、本公开实施例的技术方案可以得到如下有益效果：可以降低有源层导体化电阻。

33、上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

1.一种基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第二绝缘层夹设于所述第二金属层与所述第一绝缘层之间，所述有源层包括沟道区域，所述有源层还包括位于所述第一极与所述沟道区域之间且位于所述第一过孔之外区域的第五子部分，所述第五子部分的厚度大于所述第二子部分的厚度。

3.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，所述第五子部分在所述第一方向的尺寸大于等于100埃米，所述第五子部分在所述第一方向的尺寸小于等于所述沟道区域在所述第一方向的尺寸，所述沟道区域在所述第一方向的尺寸为200埃米-1000埃米，所述第一方向为垂直于所述衬底的方向。

5.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第二金属层还包括栅极和第二极，所述第一极和所述第二极位于所述栅极的两侧，所述第二绝缘层还设置有第二过孔，所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层，所述有源层的部分表面位于所述第二过孔所在区域，所述有源层与所述第二过孔的交叠部分包括第三子部分和第四子部分，所述第三子部分相对于所述第四子部分靠近所述栅极，所述第二极通过所述第二过孔与所述第四子部分的表面搭接连接，所述第三子部分相对于所述第四子部分朝向所述衬底方向凹陷而形成第二凹陷表面，所述第二凹陷表面被导体化预设厚度。

6.根据权利要求5所述的基板，其特征在于，所述第四子部分在第一方向的尺寸大于等于100埃米，所述第一方向为垂直于所述衬底的方向。

7.根据权利要求5所述的基板，其特征在于，所述基板还包括依次设置在所述第二金属层的背离所述衬底一侧的第三绝缘层、平坦层和电极层，所述电极层与所述第二极连接。

8.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述有源层的材质包括氧化物半导体。

9.一种基板的制备方法，其特征在于，包括

10.根据权利要求9所述的基板的制备方法，其特征在于，所述对所述第一子部分进行刻蚀，包括

11.根据权利要求10所述的基板的制备方法，其特征在于，所述第二金属层还包括栅极和第二极，所述方法还包括

12.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-8中任一项所述的基板。

13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8中任一项所述的基板或者权利要求12所述的显示面板。