一种自支撑的暴露特定晶面氧化铁阵列材料制备方法与应用

2026-01-16 12:20:07 148次浏览

技术特征：

1.一种用于电催化硝酸根还原合成氨的自支撑暴露特定晶面氧化铁阵列材料催化剂，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的催化剂，其特征在于，

3.一种权利要求1或2任一项所述用于电催化硝酸根还原合成氨催化剂的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，

9.一种用于电催化还原硝酸根合成氨的催化电极，其特征在于，

10.一种电催化硝酸根还原合成氨的方法，其特征在于，

技术总结
本发明公开了一种自支撑暴露(110)晶面的氧化铁纳米片阵列材料的制备及其在电催化硝酸根还原至氨的应用。所述催化剂包括导电自支撑载体及暴露(110)晶面的氧化铁纳米片阵列；所述氧化铁阵列通过水热法垂直生长在载体表面，并通过电化学还原原位重构得到暴露(110)晶面的纳米片阵列结构，其具备有利的电荷传输通道，并且暴露出更多的活性位点，暴露的(110)晶面有利于吸附中间物种，具有高效的电催化还原硝酸根至氨的性能，尤其在安培级电流密度下，依然达到95％以上的法拉第效率。本发明提供的自支撑暴露(110)晶面的氧化铁纳米片阵列制备方法简单，且原料廉价易得，具备快速规模化制备的优势。

技术研发人员：章福祥,刘金凤
受保护的技术使用者：中国科学院大连化学物理研究所
技术研发日：
技术公布日：2024/11/26

文档序号 : 【 40125911 】

技术研发人员：章福祥,刘金凤
技术所有人：中国科学院大连化学物理研究所

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章福祥丨刘金凤丨中国科学院大连化学物理研究所