一种MEMS陀螺仪与加速度计芯片测试装置及其测试方法与流程
技术特征:
1.一种mems陀螺仪与加速度计芯片测试装置,其特征在于,包括第一支架、第二支架以及旋转主体,所述第一支架与所述第二支架间隔设置,所述旋转主体的两端分别固定于所述第一支架与所述第二支架上,所述旋转主体包括转接盘、吸振支撑架、弹性片、安装座、吸振垫板以及测试板,所述吸振支撑架以及所述弹性片均连接于所述转接盘上,且所述吸振支撑架设置于所述弹性片的外侧,所述安装座连接于所述吸振支撑架上,所述吸振垫板设置于所述安装座上,所述测试板设置于所述吸振垫板上,所述测试板用于承载芯片,所述吸振支撑架、所述吸振垫板以及所述弹性片用于减振。
2.根据权利要求1所述的mems陀螺仪与加速度计芯片测试装置,其特征在于,所述旋转主体还包括转台座,所述测试装置还包括第一驱动件以及转动件,所述转接盘、所述吸振支撑架、所述弹性片、所述安装座、所述吸振垫板以及所述测试板位于所述转台座上,所述转台座的两端分别与所述第一驱动件以及所述转动件连接,所述第一驱动件固定连接于所述第一支架上,所述转动件固定连接于所述第二支架上,所述第一驱动件用于驱动所述旋转主体旋转。
3.根据权利要求2所述的mems陀螺仪与加速度计芯片测试装置,其特征在于,所述第一驱动件包括第一中空平台、第一驱动部以及第一滑环,所述第一中空平台分别与所述第一支架以及所述转台座固定连接,所述第一中空平台具有卡孔,所述第一滑环与所述测试板电连接并卡合于所述卡孔中,所述第一驱动部与所述第一中空平台电连接,所述第一驱动部用于驱动所述第一中空平台旋转以带动所述旋转主体旋转。
4.根据权利要求2所述的mems陀螺仪与加速度计芯片测试装置,其特征在于,所述旋转主体还包括第二驱动件,所述第二驱动件用于驱动所述转接盘、所述吸振支撑架、所述弹性片、所述安装座、所述吸振垫板以及所述测试板旋转。
5.根据权利要求4所述的mems陀螺仪与加速度计芯片测试装置,其特征在于,所述第二驱动件包括第二中空平台、第二驱动部以及第二滑环,第二中空平台设置于所述转台座上,所述第二中空平台上设置有所述转接盘,所述第二中空平台具有固定孔,所述第二滑环与所述测试板电连接并卡合于所述固定孔中,所述第二驱动部与所述第二中空平台电连接,所述第二驱动部用于驱动所述第二中空平台旋转以带动所述转接盘、所述吸振支撑架、所述弹性片、所述安装座、所述吸振垫板以及所述测试板旋转。
6.根据权利要求5所述的mems陀螺仪与加速度计芯片测试装置,其特征在于,所述第二驱动部为具有23位分辨率的编码器的伺服电机。
7.根据权利要求1-6任一项所述的mems陀螺仪与加速度计芯片测试装置,其特征在于,所述测试装置还包括底座,所述底座上设置有第一定位槽和第二定位槽,所述第一支架固定于所述第一定位槽中,所述第二支架固定于所述第二定位槽中,所述底座、所述第一支架以及所述第二支架均由大理石构成。
8.根据权利要求1-6任一项所述的mems陀螺仪与加速度计芯片测试装置,其特征在于,所述弹性片为铸铁、大理石或石墨弹性片,所述吸振支撑架为铸铁、大理石或peek吸振支撑架,所述吸振垫板为铸铁、石墨、大理石或peek吸振垫板。
9.一种mems陀螺仪与加速度计芯片测试装置的测试方法,使用权利要求1-8任一项所述的测试装置进行测试,其特征在于,所述测试装置包括第一支架、第二支架以及旋转主体,所述第一支架与所述第二支架间隔设置,所述旋转主体的两端分别固定于所述第一支架与所述第二支架上,所述旋转主体包括转接盘、吸振支撑架、弹性片、安装座、吸振垫板以及测试板,所述吸振支撑架以及所述弹性片均连接于所述转接盘上,且所述吸振支撑架设置于所述弹性片的外侧,所述安装座连接于所述吸振支撑架上,所述吸振垫板设置于所述安装座上,所述测试板设置于所述吸振垫板上;所述测试装置还包括分别与所述旋转主体两端连接的第一驱动件以及转动件,所述第一驱动件以及所述转动件用于驱动所述旋转主体旋转,所述旋转主体还包括第二驱动件,所述第二驱动件用于驱动所述转接盘、所述吸振支撑架、所述弹性片、所述安装座、所述吸振垫板以及所述测试板旋转,包括:
10.根据权利要求9所述的mems陀螺仪与加速度计芯片测试装置的测试方法,其特征在于,在继续驱动所述第二驱动件顺时针旋转90°,采集加速度计芯片-y方向的重力加速度之后,还包括:
技术总结
本申请提供一种MEMS陀螺仪与加速度计芯片测试装置及其测试方法,包括第一支架、第二支架以及旋转主体,第一支架与第二支架间隔设置,旋转主体的两端分别固定于第一支架与第二支架上,旋转主体包括转接盘、吸振支撑架、弹性片、安装座、吸振垫板以及测试板,吸振支撑架以及弹性片均连接于转接盘上,且吸振支撑架设置于弹性片的外侧,安装座连接于吸振支撑架上,吸振垫板设置于安装座上,测试板设置于吸振垫板上,测试板用于承载芯片,吸振支撑架、吸振垫板以及弹性片用于减振,以降低振动。
技术研发人员:方泽莉,金利丰,朱炯
受保护的技术使用者:绍兴圆方半导体有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/21
技术研发人员:方泽莉,金利丰,朱炯
技术所有人:绍兴圆方半导体有限公司
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