一种直拉式晶体生长炉自动控制方法、系统、设备及介质与流程

1.一种直拉式晶体生长炉自动控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的直拉式晶体生长炉自动控制方法，其特征在于，所述收尾工艺参数包括一组仅包含所述加热温度升高幅度的第一收尾工艺参数、一组仅包含所述提拉速度升高幅度的第二收尾工艺参数、和若干组包含所述加热温度升高幅度和所述提拉速度升高幅度的第三收尾工艺参数；

3.根据权利要求2所述的直拉式晶体生长炉自动控制方法，其特征在于，该方法还包括构建所述收尾工艺集合，所述构建所述收尾工艺集合至少包括以下步骤：

4.根据权利要求2所述的直拉式晶体生长炉自动控制方法，其特征在于：由所述第一温度敏感度区间和所述第二速度敏感度区间组成的使用条件为低敏使用条件，所述低敏使用条件对应有多组所述第三收尾工艺参数；

5.根据权利要求4所述的直拉式晶体生长炉自动控制方法，其特征在于：所述目标尾端特征还包括尾端的目标杂质含量；在判断匹配到的所述使用条件是否为所述低敏使用条件之后，该方法还包括以下步骤：

6.根据权利要求5所述的直拉式晶体生长炉自动控制方法，其特征在于：所述目标尾端特征还包括尾端的形状标准度；在判断匹配到的所述使用条件是否为所述低敏使用条件之后，该方法还包括以下步骤：

7.根据权利要求2所述的直拉式晶体生长炉自动控制方法，其特征在于：由所述第二温度敏感度区间和所述第一速度敏感度区间组成的使用条件为高敏使用条件，所述高敏使用条件对应的所述第三收尾工艺参数为高敏收尾工艺参数，所述高敏收尾工艺参数还包括温度升高次数和速度升高次数；

8.一种直拉式晶体生长炉自动控制系统，用于实现如权利要求1-7任一项所述的直拉式晶体生长炉自动控制方法，其特征在于，包括：

9.一种终端设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述的直拉式晶体生长炉自动控制方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-7任一项所述的直拉式晶体生长炉自动控制方法的步骤。