碳化硅器件的高温耐压极限值的确定方法和系统与流程
技术特征:
1.一种碳化硅器件的高温耐压极限值的确定方法,碳化硅器件的高温耐压极限值的确定系统包括碳化硅器件、高温烘箱和直流源模组,所述高温烘箱用于放置碳化硅器件,所述直流源模组的第一端用于与所述碳化硅器件的漏极电连接,所述直流源模组的第二端接地,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据所述测试组的所述当前电学性能参数的大小,确定所述测试组的高温耐压极限值是否为当前次的所述反向偏压,包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,确定所述测试组的所述高温耐压极限值为上一次的所述反向偏压,包括:
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述直流源模组包括直流源和电阻,所述电阻的第一端作为所述直流源模组的第一端,所述电阻的第二端与所述直流源的第一端电连接,所述直流源的第二端接地,所述测试组的所述当前电学性能参数还包括当前电阻值,在根据所述测试组的所述当前电学性能参数的大小,确定所述测试组的高温耐压极限值是否为当前次的所述反向偏压的过程中,所述方法还包括:
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在以不断提高所述直流源模组输出的反向偏压为基准,对所述测试组不断施加反向偏压的过程中,所述方法还包括:
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,以不断提高所述直流源模组输出的反向偏压为基准,对所述测试组不断施加反向偏压,包括:
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在确定所述测试组的高温耐压极限值是否为当前次的所述反向偏压之后,所述方法还包括:
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,根据所述验证组的所述当前电学性能参数的大小,确定所述测试组的高温耐压极限值是否有效,包括:
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述直流源模组包括直流源和电阻,所述电阻的第一端作为所述直流源模组的第一端,所述电阻的第二端与所述直流源的第一端电连接,所述直流源的第二端接地,所述当前电学性能参数还包括当前电阻值,在根据所述验证组的所述当前电学性能参数的大小,确定所述测试组的高温耐压极限值是否有效的过程中,所述方法还包括:
10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在确定所述测试组的所述高温耐压极限值无效之后,所述方法还包括:
11.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在以不断提高所述直流源模组输出的反向偏压为基准,对所述验证组不断施加反向偏压的过程中,所述方法还包括:
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,在以不断提高所述直流源模组输出的反向偏压为基准,对所述验证组不断施加反向偏压的过程中,所述方法还包括:
13.一种碳化硅器件的高温耐压极限值的确定系统,其特征在于,包括:碳化硅器件、高温烘箱和直流源模组,所述高温烘箱用于放置碳化硅器件,所述直流源模组的第一端用于与所述碳化硅器件的漏极电连接,所述碳化硅器件的源极和栅极短接,其中,采用权利要求1至12中任一项所述的碳化硅器件的高温耐压极限值的确定方法对所述碳化硅器件进行测试。
14.根据权利要求13所述的碳化硅器件的高温耐压极限值的确定系统,其特征在于,所述直流源模组包括直流源和电阻,所述电阻的第一端作为所述直流源模组的第一端,所述电阻的第二端与所述直流源的第一端电连接,所述直流源的第二端接地。
15.根据权利要求13所述的碳化硅器件的高温耐压极限值的确定系统,其特征在于,所述碳化硅器件为绝缘栅场效应晶体管。
技术总结
本申请提供了一种碳化硅器件的高温耐压极限值的确定方法和系统,该方法由于将高温烘箱的温度调节为预设最高工作结温,并以不断提高直流源模组输出的反向偏压为基准,对测试组不断施加反向偏压,从而实现了高温耐压极限值的测试目的,另外在每次对测试组施加反向偏压持续第一预设时间之后,根据测试组的当前电学性能参数的大小,确定测试组的高温耐压极限值是否为当前次的反向偏压,且测试组的当前电学性能参数包括测试组的碳化硅器件的当前栅极漏电流、当前阈值电压和当前漏极漏电流,从而使得测试组的高温耐压极限值的确定更加符合实际工况,进而解决了现有方案对SiC MOSFET高温耐压极限值的确定的效率较低的问题。
技术研发人员:金锐,伍珈乐,陈中圆,冉立
受保护的技术使用者:北京怀柔实验室
技术研发日:
技术公布日:2024/11/18
技术研发人员:金锐,伍珈乐,陈中圆,冉立
技术所有人:北京怀柔实验室
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