氧化物烧结体的制作方法

本发明涉及氧化物烧结体及用于形成薄膜的成膜用材料。

背景技术：

1、mgo-zno系氧化物具有在彩色液晶投影仪用透光性陶瓷(专利文献1)、氧化物半导体(专利文献2)、透明电极(专利文献3)等中的应用例。

2、上述烧结体是重视导电性的材料，但由于以zno为主成分，因此在紫外线区域的透光性方面存在技术问题。

3、针对上述技术问题，本发明人等公开了一种氧化物烧结体，包含锌、镁、正3价或正4价的金属元素x和氧作为构成元素，通过调整这些元素的比，能够得到紫外线区域的透光性高且导电性也高的膜(专利文献4)。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2009-184898号公报

7、专利文献2：日本特开2012-066968号公报

8、专利文献3：日本特开2011-063866号公报

9、专利文献4：国际公开第2020/262433号

技术实现思路

1、本发明人等进一步进行了研究，结果发现，在使用包含固溶有zn的立方晶的mgo、固溶有mg的六方晶的zno及固溶有mg的znga2o4的氧化物烧结体进行成膜时，能够得到紫外线区域的透光性高且导电性也高的膜。

2、本发明的目的之一在于提供一种能够得到紫外线区域的透光性高且导电性也高的膜的氧化物烧结体。

3、根据本发明，提供以下的氧化物烧结体等。

4、1.一种氧化物烧结体，包含固溶有zn的立方晶的mgo、固溶有mg的六方晶的zno及固溶有mg的znga2o4。

5、2.如方案1所述的氧化物烧结体，相对于锌、镁及镓的合计的所述镓的原子比[ga/(zn+mg+ga)]为0.0001以上0.090以下。

6、3.如方案2所述的氧化物烧结体，所述原子比[ga/(zn+mg+ga)]为0.007以上0.070以下。

7、4.如方案2所述的氧化物烧结体，所述原子比[ga/(zn+mg+ga)]为0.008以上0.060以下。

8、5.如方案2所述的氧化物烧结体，所述原子比[ga/(zn+mg+ga)]为0.010以上0.050以下。

9、6.如方案2～5的任一项所述的氧化物烧结体，所述镁相对于所述锌及所述镁的合计的原子比[mg/(zn+mg)]为0.25以上0.80以下。

10、7.如方案6所述的氧化物烧结体，所述原子比[mg/(zn+mg)]为0.30以上0.70以下。

11、8.一种成膜用材料，包含1～7的任一项所述的氧化物烧结体。

12、9.如方案8所述的成膜用材料，所述成膜用材料为成膜用料片。

13、10.如方案8所述的成膜用材料，所述成膜用材料为溅射靶。

14、11.一种薄膜，使用8～10的任一项所述的成膜用材料而得到。

15、根据本发明，能够提供一种能够得到紫外线区域的透光性高且导电性也高的膜的氧化物烧结体。

1.一种氧化物烧结体，其特征在于，

2.如权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，

3.如权利要求2所述的氧化物烧结体，其特征在于，

4.如权利要求2所述的氧化物烧结体，其特征在于，

5.如权利要求2所述的氧化物烧结体，其特征在于，

6.如权利要求2～5的任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于，

7.如权利要求6所述的氧化物烧结体，其特征在于，

8.一种成膜用材料，其特征在于，

9.如权利要求8所述的成膜用材料，其特征在于，

10.如权利要求8所述的成膜用材料，其特征在于，

11.一种薄膜，其特征在于，