一种TLVR技术中的耦合电感结构及应用其的多相电压调节模块的制作方法

1.一种tlvr技术中的电感结构，其特征在于，包括磁芯和至少一个耦合绕组组合，所述耦合绕组组合包括至少一个主绕组和至少一个辅助绕组：

2.根据权利要求1所述的电感结构，其特征在于，至少一个所述主绕组的至少一部分为第一主绕组段，至少一个所述辅助绕组的至少一部分为第一辅助绕组段；

3.根据权利要求2所述的电感结构，其特征在于，至少一个所述主绕组的全部为第一主绕组段，至少一个所述辅助绕组的全部为第一辅助绕组段。

4.根据权利要求3所述的电感结构，其特征在于，至少一个所述主绕组与至少一个所述辅助绕组的耦合系数大于0.85。

5.根据权利要求2所述的电感结构，其特征在于，所述耦合绕组组合包括两个主绕组和至少两个辅助绕组；一个所述主绕组的至少一部分为第三主绕组段，另一个所述主绕组的至少一部分为第四主绕组段；所述第三主绕组段与所述第四主绕组段耦合。

6.根据权利要求5所述的耦合电感结构，其特征在于，第三主绕组段对应的至少一个辅助绕组的至少一部分为第三辅助绕组段，第四主绕组段对应的至少一个辅助绕组的至少一部分为第四辅助绕组段；

7.根据权利要求2所述的电感结构，其特征在于，所述耦合绕组组合包括两个主绕组和至少一个辅助绕组；一个所述主绕组为第一主绕组、另一个所述主绕组为第二主绕组；

8.根据权利要求7所述的电感结构，其特征在于，所述耦合绕组组合包括至少两个对称设置的辅助绕组。

9.根据权利要求7所述的电感结构，其特征在于，所述辅助绕组、第一主绕组段和第二主绕组段共面；所述第一主绕组段和所述第二主绕组段分别位于所述辅助绕组的两侧。

10.根据权利要求7所述的电感结构，其特征在于，所述辅助绕组、第一主绕组段和第二主绕组段均为平面形并且两两相互平行。

11.根据权利要求7所述的电感结构，其特征在于，所述第一主绕组的一部分为第三主绕组段，所述第三主绕组段未与所述辅助绕组耦合；所述第一主绕组的一部分为第四主绕组段，所述第四主绕组段未与所述辅助绕组耦合；所述第三主绕组段与所述第四主绕组段耦合。

12.根据权利要求5或11所述的电感结构，其特征在于，所述第三主绕组段与所述第四主绕组段耦合，具体为：所述第三主绕组段与所述第四主绕组段并排或平行设置，所述第三主绕组段与所述第四主绕组段之间的间隔空间设置为不导磁的材料或磁导率低于磁芯磁导率的磁性材料。

13.根据权利要求1至11任一项所述的电感结构，其特征在于，还包括至少一个第二气隙，所述第二气隙位于至少一个所述主绕组的一侧。

14.根据权利要求13所述的电感结构，其特征在于，所述第二气隙至少沿一个第一方向贯通所述电感结构，并且沿一个第二方向延伸至所述电感结构的表面，所述第一方向和所述第二方向不相同。

15.根据权利要求13所述的电感结构，其特征在于，所述第二气隙将磁芯分隔成至少两个互不接触的部分。

16.根据权利要求5或11所述的电感结构，其特征在于，还包括至少一个第二气隙，所述第二气隙位于至少一个所述主绕组的一侧，并且所述第三主绕组段和所述第四主绕组段之间的间隔空间与所述第二气隙的位置不重合。

17.根据权利要求16所述的电感结构，其特征在于，还包括至少一个第一气隙，所述第一气隙的至少一部分位于所述第三主绕组段和所述第四主绕组段之间，所述第一气隙和所述第二气隙共同将磁芯分隔成至少两个互不接触的部分。

18.根据权利要求17所述的电感结构，其特征在于，所述第一气隙的宽度小于第二气隙。

19.根据权利要求1至12任一项所述的耦合电感结构，其特征在于，所述主绕组为z形。

20.根据权利要求1至12任一项所述的耦合电感结构，其特征在于，所述磁芯和耦合绕组组合通过一体成型的方式一体压合而成。

21.一种多相电压调节模块，其特征在于，包括至少一个两相电压调节模块，所述两相电压调节模块包括：

22.根据权利要求21所述的多相电压调节模块，其特征在于，包括负载主板和至少两个两相电压调节模块，各个所述两相电压调节模块的功率输入焊盘、功率输出焊盘通过负载主板并联电连接，各个所述两相电压调节模块的第一辅助绕组外连焊盘、第二辅助绕组外连焊盘通过负载主板串联形成一辅助绕组回路。

23.根据权利要求22所述的多相电压调节模块，其特征在于，所述主绕组和对应的辅助绕组的耦合系数大于0.85，所述多相电压调节模块还包括一外接的补偿电感，所述补偿电感串联在所述辅助绕组回路中。