半导体装置的制造方法及半导体装置与流程
技术特征：
1.一种半导体装置的制造方法，其具备如下工序：
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其还具备如下工序：
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，
4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其还具备如下工序：
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
10.一种半导体装置，其具备：
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其具备：
12.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其中，
13.根据权利要求10至12中任一项所述的半导体装置，其中，
14.根据权利要求10至13中任一项所述的半导体装置，其中，
15.根据权利要求10至14中任一项所述的半导体装置，其中，
技术总结
半导体装置的制造方法具备如下工序：准备具有第1基板主体、第1绝缘膜及多个第1电极的第1半导体基板；准备具有第2基板主体、第2绝缘膜及多个第2电极的第2半导体基板；彼此贴合第1绝缘膜与第2绝缘膜并且接合多个第1电极与多个第2电极而获得混合接合结构体；在第2基板主体中形成多个连接凸块；切割混合接合结构体，获得分别包含第1半导体元件、第1电极、第2半导体元件、第2电极及连接凸块的多个混合接合结构零件；将第1混合接合结构零件安装于其他部件；在第1混合接合结构零件与其他部件之间的间隙中注入第1液态材料；及使第1液态材料固化。
技术研发人员：福住志津,上野惠子
受保护的技术使用者：株式会社力森诺科
技术研发日：
技术公布日：2024/12/2
文档序号 :
【 40201448 】
技术研发人员：福住志津,上野惠子
技术所有人：株式会社力森诺科
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
声 明 ：此信息收集于网络，如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们，我们会在第一时间删除
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