接触孔的形成方法、快恢复二极管及其形成方法与流程
技术特征：
1.一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，采用第一刻蚀工艺刻蚀部分所述介质层，形成位于所述终端区上方的初始接触孔的具体步骤包括：
3.根据权利要求2所述的接触孔的形成方法，其特征在于，采用各向同性刻蚀工艺刻蚀部分所述介质层，形成位于所述终端区上方的初始接触孔的具体步骤包括：
4.根据权利要求2所述的接触孔的形成方法，其特征在于，采用各向同性刻蚀工艺刻蚀部分所述介质层，形成位于所述终端区上方的初始接触孔的具体步骤包括：
5.根据权利要求4所述的接触孔的形成方法，其特征在于，采用各向同性刻蚀工艺刻蚀部分所述介质层，形成位于所述终端区上方的初始接触孔的具体步骤包括：
6.根据权利要求5所述的接触孔的形成方法，其特征在于，采用各向同性刻蚀工艺刻蚀部分所述介质层，形成位于所述终端区上方的初始接触孔的具体步骤包括：
7.根据权利要求6所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述衬底包括沿第一方向相对分布的顶面和底面，所述场氧化层沿所述第一方向位于所述衬底的顶面上，所述介质层沿所述第一方向覆盖于所述场氧化层的表面和所述衬底的表面；采用第二刻蚀工艺自所述初始接触孔刻蚀所述介质层和部分的所述场氧化层，形成延伸至所述场氧化层的内部的接触孔的具体步骤包括：
8.根据权利要求7所述的接触孔的形成方法，其特征在于，自所述初始接触孔沿所述第一方向刻蚀剩余的所述介质层和部分的所述场氧化层，形成延伸至所述场氧化层的内部的接触孔的具体步骤包括：
9.根据权利要求7所述的接触孔的形成方法，其特征在于，自所述初始接触孔沿所述第一方向刻蚀剩余的所述介质层和部分的所述场氧化层，形成延伸至所述场氧化层的内部的接触孔的具体步骤包括：
10.根据权利要求7所述的接触孔的形成方法，其特征在于，自所述初始接触孔沿所述第一方向刻蚀剩余的所述介质层和部分的所述场氧化层，形成延伸至所述场氧化层的内部的接触孔的具体步骤还包括：
11.一种快恢复二极管的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
12.根据权利要求11所述的快恢复二极管的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺为各向同性刻蚀工艺。
13.一种快恢复二极管，其特征在于，采用如权利要求11所述的快恢复二极管的形成方法形成。
技术总结
本发明涉及一种接触孔的形成方法、快恢复二极管及其形成方法。所述接触孔的形成方法包括如下步骤：提供基底，基底包括衬底，衬底包括有源区以及位于有源区外部的终端区，基底还包括覆盖终端区的场氧化层以及覆盖有源区和场氧化层的介质层；采用第一刻蚀工艺刻蚀部分介质层，形成位于终端区上方的初始接触孔，初始接触孔的拐角处剩余的介质层的厚度大于初始接触孔的底面处剩余的介质层的厚度；采用第二刻蚀工艺自初始接触孔刻蚀介质层和部分的场氧化层，形成延伸至场氧化层的内部的接触孔。本发明确保了刻蚀后剩余的场氧化层的厚度，减小了快恢复二极管内的反向电流。
技术研发人员：洪智强,丁培,李茜
受保护的技术使用者：上海积塔半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/2
技术研发人员：洪智强,丁培,李茜
技术所有人：上海积塔半导体有限公司
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