首页  专利技术  电子通信装置的制造及其应用技术

一种XeF2刻蚀设备及使用方法与流程

2026-04-29 17:20:06 203次浏览

技术特征:

1.一种xef2刻蚀设备,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种xef2刻蚀设备,其特征在于:所述xef2刻蚀工艺模块还包括xef2气源、n2气源、扩展腔体、循环泵和第一真空泵组,所述xef2气源通过管路一与扩展腔体连接,且管路一上设有阀门一,所述n2气源通过管路二分别与管路一、扩展腔体和xef2刻蚀腔体连接,且管路二与管路一、扩展腔体、xef2刻蚀腔体和n2气源之间分别设有阀门五、阀门六、阀门七和气体流量计一,所述扩展腔体通过管路三与xef2刻蚀腔体连接,且管路三上设有阀门二,所述xef2刻蚀腔体与运输腔体连接,且xef2刻蚀腔体分别通过管路四、管路五与循环泵、第一真空泵组连接,管路四上设有阀门八,管路五上设有阀门三,所述扩展腔体通过管路六与第一真空泵组连接,且管路六上设有阀门四,所述循环泵分别通过管路七、管路八与扩展腔体、xef2刻蚀腔体连接,且管路七上设有阀门九,管路八上设置有阀门十。

3.根据权利要求1所述的一种xef2刻蚀设备,其特征在于:所述沉积自组装单分子层模块还包括载体气源、第一储藏罐、第二储藏罐和第二真空泵组,所述载体气源通过管路十一与沉积腔体连接,所述管路十一上设置有阀门十一,所述载体气源通过管路十二分别与第一储藏罐和第二储藏罐连接,且管路十二与第一储藏罐之间设有阀门十二和气体流量计二,管路十二与第二储藏罐之间设有阀门十三和气体流量计三,所述第一储藏罐和第二储藏罐分别通过管路十三与沉积腔体连接,所述沉积腔体与运输腔体连接,并且通过管路十四与第二真空泵组连接,且管路十四上设有阀门十四,所述第一储藏罐和第二储藏罐上均设置有加热装置。

4.根据权利要求1所述的一种xef2刻蚀设备,其特征在于:所述所述沉积自组装单分子层模块还包括载体气源、蒸汽器、第一储藏罐、第二储藏罐和第二真空泵组,所述载体气源通过管路十五与蒸发器连接,且管路十五上设有气体流量计四,载体气源通过管路十六分别与第一储藏罐和第二储藏罐连接,且载体气源与管路十六之间设置有气体流量计五,所述第一储藏罐、第二储藏罐与管路十六之间分别设置有阀门十五和阀门十六,所述第一储藏罐、第二储藏罐通过管路十七与蒸发器连接,并且第一储藏罐、第二储藏罐与管路十七之间分别设置有液体流量计一、液体流量计二,所述蒸发器通过管路十八与沉积腔体连接,所述沉积腔体与运输腔体连接,并且通过管路十九与第二真空泵组连接,且管路十九上设有阀门十七。

5.根据权利要求2所述的一种xef2刻蚀设备,其特征在于:一个非稀释连续刻蚀工艺过程包括如下步骤:

6.根据权利要求2所述的一种xef2刻蚀设备,其特征在于:一个稀释连续刻蚀工艺过程包括如下步骤:

7.根据权利要求2所述的一种xef2刻蚀设备,其特征在于:一个非稀释脉冲刻蚀工艺过程,包括如下步骤:

8.根据权利要求1所述的一种xef2刻蚀设备,其特征在于:一个稀释脉冲刻蚀工艺过程,包括如下步骤:

9.根据权利要求7或8所述的一种xef2刻蚀设备,其特征在于:xef2刻蚀需要1—100个脉冲刻蚀过程来完成晶圆刻蚀,并且在每个脉冲过程之间暂停0-300秒。


技术总结
本发明公开了一种XeF2刻蚀设备及使用方法,包括运输腔体、上载腔体、沉积自组装单分子层模块、等离子体刻蚀腔体和XeF2刻蚀工艺模块,所述运输腔体内部设有机械手,并且分别与上载腔体、沉积自组装单分子层模块、等离子体刻蚀腔体和XeF2刻蚀工艺模块连接,且运输腔体与上载腔体、沉积自组装单分子层模块、等离子体刻蚀腔体和XeF2刻蚀工艺模块之间均设置有第二真空阀门;该XeF2刻蚀设备及使用方法能够可对工件/晶圆进行真空上载和转运,并且晶圆进行表面等离子体预清洁、XeF2刻蚀、再次表面等离子体预清洁、SAM沉积以及下载,从而完成整个XeF2刻蚀和SAM沉积过程,并且XeF2刻蚀和SAM沉积均能够保证均匀性。

技术研发人员:唐云俊
受保护的技术使用者:唐云俊
技术研发日:
技术公布日:2024/12/2
文档序号 : 【 40202798 】

技术研发人员:唐云俊
技术所有人:唐云俊

备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
声 明此信息收集于网络,如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们,我们会在第一时间删除
唐云俊唐云俊
一种微型风机上使用的快接接头结构及使用方法与流程 一种基于多传感器集成的零点定位托盘
相关内容