发光二极管外延片及其制备方法、LED与流程

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、p型gan层；

2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述si掺杂多孔gan层的厚度为16nm~520nm；

3.如权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述低in组分的多孔ingan/gan超晶格层包括交替层叠的第一ingan层和第一gan层，周期数为2~5；

4.如权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述低si掺杂gan合并层的厚度为10nm~180nm；

5.如权利要求4所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述高in组分的多孔ingan/gan超晶格层包括交替层叠的第二ingan层和第二gan层，周期数为2~8；

6.如权利要求5所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述si掺杂gan合并层的厚度为12nm~250nm；

7.一种如权利要求1~6任一项所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

8.如权利要求7所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，在沉积所述si掺杂多孔gan层之前对外延层材料表面进行第一高温h2气处理，在沉积所述低in组分的多孔ingan/gan超晶格层之前对外延层材料表面进行第二高温h2气处理，在沉积所述高in组分的多孔ingan/gan超晶格层之前对外延层材料表面进行第三高温h2气处理；

9.如权利要求8所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述第一高温h2气处理的处理时间≥所述第二高温h2气处理的处理时间≥所述第三高温h2气处理的处理时间；

10.一种led，其特征在于，所述led包括如权利要求1~6任一项所述的发光二极管外延片或者包括由权利要求7~9任一项所述的发光二极管外延片的制备方法所制得的发光二极管外延片。