一种适用于铜栅异质结电池的改性多层透明导电薄膜的制作方法

1.一种适用于铜栅异质结电池的改性多层透明导电薄膜，其特征在于：包括依次沉积于基体表面的ito层、snox层，还包括沉积于所述snox层远离基体表面一侧的snox-f-cu层。

2.根据权利要求1所述的一种适用于铜栅异质结电池的改性多层透明导电薄膜，其特征在于：所述ito层的厚度为30-50 nm，snox层的厚度为30-50 nm。

3.根据权利要求1所述的一种适用于铜栅异质结电池的改性多层透明导电薄膜，其特征在于：所述snox-f-cu层的厚度为10-30 nm。

4.根据权利要求1所述的一种适用于铜栅异质结电池的改性多层透明导电薄膜，其特征在于：snox-f-cu层中，f的含量为0.1-2％，cu的含量为0.5-5%。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种适用于铜栅异质结电池的改性多层透明导电薄膜，其特征在于，其制备方法包括以下步骤：

6.根据权利要求5所述的一种适用于铜栅异质结电池的改性多层透明导电薄膜，其特征在于：步骤（1）中，采用ito靶，真空室加热至150～250℃，当真空室内真空度达到1×10-5pa以下时，向真空室通入工艺气体，气压控制在0.1～10pa之间；基体加脉冲负偏压在-100～-500v范围内，使气体发生辉光放电，对样品进行辉光清洗10～50分钟；调整保护气体流量，使真空室气压为0.2～5.0pa，同时开启ito靶弧源，弧电流为60～200a，调脉冲负偏压至-50v～-500v，调脉冲负偏压占空比为30%~70%，沉积ito层。

7.根据权利要求5所述的一种适用于铜栅异质结电池的改性多层透明导电薄膜，其特征在于：步骤（2）中，采用氧化锡靶，同时开启氧化锡靶弧源和轴向磁场装置，弧电流为30～150a，调脉冲负偏压至-50v～-500v，调脉冲负偏压占空比为30%~70%，磁场线圈电流调整为0.3～4a，调节氧化锡靶电流为30～150a，沉积snox层。

8.根据权利要求5所述的一种适用于铜栅异质结电池的改性多层透明导电薄膜，其特征在于，还包括步骤（3），

9.根据权利要求8所述的一种适用于铜栅异质结电池的改性多层透明导电薄膜，其特征在于：步骤（3）中，采用掺氟氧化锡靶和铜靶，对基体施加脉冲负偏压为-50v～-300v，脉冲负偏压占空比为15%~80%；开启轴向磁场装置，磁场线圈电流调整为0.3～4a；调节掺氟氧化锡靶和铜靶的靶电流为30～150a，沉积sno2-f-cu层。