基于5T、8T、14T混合像素计算单元的CMOS图像感算一体电路
技术特征:
1.一种基于5t、8t、14t混合像素计算单元的cmos图像感算一体电路,其特征在于,包括:光电感算阵列、权重电压生成模块、读出电路以及控制模块;其中,
2.根据权利要求1所述的基于5t、8t、14t混合像素计算单元的cmos图像感算一体电路,其特征在于,每一所述混合像素计算单元基于卷积算法排列,5t像素计算单元设置在每一所述卷积核的中心位置,8t像素单元设置在每一所述卷积核的左右位置和上下位置,14t像素计算单元设置在每一所述卷积核的中心位置的左上位置、左下位置、右上位置以及右下位置。
3.根据权利要求2所述的基于5t、8t、14t混合像素计算单元的cmos图像感算一体电路,其特征在于,每两个所述卷积核的左右位置或者上下位置相互重叠,每四个所述卷积核的右下、左下、左上以及右上位置相互重叠。
4.根据权利要求2所述的基于5t、8t、14t混合像素计算单元的cmos图像感算一体电路,其特征在于,所述8t像素计算单元用于执行2并行乘法及输出,所述14t像素计算单元用于执行4并行乘法及输出。
5.根据权利要求2所述的基于5t、8t、14t混合像素计算单元的cmos图像感算一体电路,其特征在于,所述5t像素计算单元包括mos管m1、mos管m2、mos管m3、mos管m4、mos管m5以及光电二极管pd1,所述mos管m1的栅极与像素复位信号的行线连接,所述mos管m1的漏极与电源连接,所述mos管m1的源极与所述mos管m2的漏极连接,所述mos管m2的栅极与电荷转移信号的行线连接,所述mos管m2的源极与光电二极管pd1的阴极连接,所述光电二极管pd1的阳极接地,所述mos管m3的栅极与所述mos管m2的漏极连接,所述mos管m3的漏极与所述电源连接,所述mos管m3的源极分别与所述mos管m4的漏极、所述mos管m5的漏极连接,所述mos管m4的栅极与第一正权重电压连接,所述mos管m4的源极输出表示正值的第一电流,所述mos管m5的栅极与第一负权重电压连接,所述mos管m5的源极输出表示负值的第一电流。
6.根据权利要求5所述的基于5t、8t、14t混合像素计算单元的cmos图像感算一体电路,其特征在于,所述8t像素计算单元包括mos管m6、mos管m7、mos管m8、mos管m9、mos管m10、mos管m11、mos管m12、mos管m13以及光电二极管pd2,所述mos管m6的栅极与所述像素复位信号的行线连接,所述mos管m6的漏极与所述电源连接,所述mos管m6的源极与所述mos管m7的漏极连接,所述mos管m7的栅极与所述电荷转移信号的行线连接,所述mos管m7的源极与所述光电二极管pd2的阴极连接,所述光电二极管pd2的阳极接地,所述mos管m8的栅极与所述mos管m7的漏极连接,所述mos管m8的漏极与所述电源连接,所述mos管m8的源极分别与所述mos管m9、所述mos管m10的漏极连接,所述mos管m9的栅极与第二正权重电压连接,所述mos管m9的源极输出表示正值的第二电流,所述mos管m10的栅极与第二负权重电压连接,所述mos管m10的源极输出表示负值的第二电流,所述mos管m11的栅极与所述mos管m7的漏极连接,所述mos管m11的漏极与所述电源连接,所述mos管m11的源极分别与所述mos管m12、mos管m13的漏极连接,所述mos管m12的栅极与第三正权重电压连接,所述mos管m12的源极输出表示正值的第三电流,所述mos管m13的栅极与第三负权重电压连接,所述mos管m13的源极输出表示负值的第三电流。
7.根据权利要求6所述的基于5t、8t、14t混合像素计算单元的cmos图像感算一体电路,其特征在于,所述14t像素计算单元包括mos管m14、mos管m15、mos管m16、mos管m17、mos管m18、mos管m19、mos管m20、mos管m21、mos管m22、mos管m23、mos管m24、mos管m25、mos管m26、mos管m27以及光电二极管pd3,所述mos管m14的栅极与所述像素复位信号的行线连接,所述mos管m14的漏极与所述电源连接,所述mos管m14的源极与所述mos管m15的漏极连接,所述mos管m15的栅极与电荷转移信号的行线连接,所述mos管m15的源极与光电二极管pd3的阴极连接,所述光电二极管pd3的阳极接地,所述mos管m16的栅极与所述mos管m15的漏极连接,所述mos管m16的漏极与所述电源连接,所述mos管m16的源极分别与所述mos管m17的漏极、所述mos管m18的漏极连接,所述mos管m17的栅极与所述第四正权重电压连接,所述mos管m17的源极输出表示正值的第四电流,所述mos管m18的栅极与所述第四负权重电压连接,所述mos管m18的源极输出表示负值的第四电流,所述mos管m19的漏极与所述电源连接,所述mos管m19的栅极与所述mos管m15的漏极连接,所述mos管m19的源极分别与所述mos管m20、所述mos管m21的漏极连接,所述mos管m20的栅极与所述第五正权重电压连接,所述mos管m20的源极输出表示正值的第五电流,所述mos管m21的栅极与所述第五负权重电压连接,所述mos管m21的源极输出表示负值的第五电流,所述mos管m22的漏极与所述电源连接,所述mos管m22的栅极与所述mos管m15的漏极连接,所述mos管m22的源极分别与所述mos管m23的漏极、所述mos管m24漏极连接,所述mos管m23的栅极与第六正权重电压连接,所述mos管m23的源极输出表示正值的第六电流,所述mos管m24的栅极与第六负权重电压连接,所述mos管m24的源极输出表示负值的第六电流,所述mos管m25的漏极与所述电源连接,所述mos管m25的栅极与所述mos管m15的漏极连接,所述mos管m25的源极分别与所述mos管m26的漏极、所述mos管m27的漏极连接,所述mos管m26的栅极与第七正权重电压连接,所述mos管m26的源极输出表示正值的第七电流,所述mos管m27的栅极与第七负权重电压连接,所述mos管m27的源极输出表示负值的第七电流。
8.根据权利要求1所述的基于5t、8t、14t混合像素计算单元的cmos图像感算一体电路,其特征在于,对应同一卷积核的表示正值的电流输出线分别与对应所述同一卷积核的第一电流总线连接,对应所述同一卷积核的表示负值的电流输出线分别与对应所述同一卷积核的第二电流总线连接,所述第一电流总线输出所述卷积乘累加操作的结果中表示正值的电流,所述第二电流总线输出所述卷积乘累加操作的结果中表示负值的电流。
9.根据权利要求1所述的基于5t、8t、14t混合像素计算单元的cmos图像感算一体电路,其特征在于,所述权重电压生成电路包括pmos管m28、mos管m29、pmos管m30、pmos管m31、pmos管m32、pmos管m33、mos管m34、mos管m35、运算放大器op1,所述mos管m28的源极与电源连接,所述pmos管m28的栅极分别与所述mos管m29的栅极和漏极连接,所述pmos管m28的漏极分别与所述mos管m29的栅极和漏极连接,所述pmos管m28的栅极、漏极以及所述mos管m29的栅极、漏极分别与所述运算放大器op1的正相输入端连接,所述mos管m29的源极接地,所述运算放大器op1的负相输入端与所述运算放大器op1的输出端连接,所述pmos管m30的源极与所述电源连接,所述pmos管m30的栅极与第一权重数字信号连接,所述pmos管m30的漏极与所述mos管m34的漏极连接,所述mos管m34的栅极与所述电源连接,所述mos管m34的源极与所述mos管m35的漏极连接,所述mos管m35的栅极与所述mos管m34的漏极连接,所述mos管m35的源极与所述运算放大器op1的输出端连接,所述pmos管m31的源极与所述电源连接,所述pmos管m31的栅极与所述第二权重数字信号连接,所述pmos管的m31的漏极与所述mos管m34的漏极连接,所述pmos管m32的源极与所述电源连接,所述pmos管m32的栅极与所述第三权重数字信号连接,所述pmos管m32的漏极与所述mos管m34的漏极连接,所述pmos管m33的源极与所述电源连接,所述pmos管m33的栅极接地,所述pmos管m33的漏极与所述mos管m34的漏极连接,所述mos管m35的栅极输出权重模拟电压。
10.根据权利要求1所述的基于5t、8t、14t混合像素计算单元的cmos图像感算一体电路,其特征在于,所述读出电路包括运算放大器op2、运算放大器op3、运算放大器op4、运算放大器op5、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电阻r5、电阻r6、电容c1、开关s1、开关s2、开关s3、开关s4、开关s5、开关s6,所述运算放大器op2的正相输入端接地,所述运算放大器op2的负相输入端与对应列的所述第一电流总线连接,所述电阻r1的输入端与所述运算放大器op2的负相输入端连接,所述电阻r1的输出端与所述运算放大器的op2的输出端连接,所述运算放大器op3的正相输入端接地,所述运算放大器op3的负相输入端与对应列的所述第二电流总线连接,所述电阻r2的输入端与所述运算放大器op3的负相输入端连接,所述电阻r3的输出端与所述运算放大器op3的输出端连接,所述开关s1的一端与所述运算放大器op2的输出端连接,所述开关s1另一端与所述电阻r3的输入端连接,所述开关s2的一端与所述运算放大器op3的输出端连接,所述开关s2的另一端与所述电阻r3的输入端连接,所述开关s3的一端与所述运算放大器op2的输出端连接,所述开关s3的另一端与所述电阻r4的输入端连接,所述开关s4的一端与所述运算放大器op3的输出端连接,所述开关s4的另一端与所述电阻r4的输入端连接,所述电阻r3的输出端分别与所述电阻r5的输入端、所述运算放大器op4的正相输入端连接,所述电阻r4的输出端分别与所述电阻r6的输入端、所述运算放大器op4的负相输入端连接,所述电阻r5的输出端接地,所述运算放大器op5的输出端、所述r6的输出端分别与所述开关s5的一端连接,所述开关s5的另一端与所述运算放大器op5的负相输入端连接,所述运算放大器op5的正相输入端接地,所述电容c1的输入端与所述运算放大器op5的负相输入端连接,所述电容c1的输出端与所述运算放大器op5的输出端连接,所述开关s6的一端与所述运算放大器op5的负相输入端连接,所述开关s6的另一端与所述运算放大器op5的输出端连接,所述运算放大器op5的输出端输出电压。
技术总结
本公开提供一种基于5T、8T、14T混合像素计算单元的CMOS图像感算一体电路,包括:光电感算阵列、权重电压生成模块、读出电路以及控制模块;光电感算阵列包括多组混合像素计算单元和多个行选开关,混合像素计算单元中像素计算单元的类型包括5T、8T、14T,光电感算阵列通过像素计算单元与卷积核的权重电压进行卷积乘累加操作,输出电流;权重电压生成模块用于生成卷积核对应的权重电压;读出电路用于减法运算、电流‑电压转换以及相关双采样;控制模块用于生成控制信号。通过本公开,在片上自动实现传感和卷积算法中的乘累加操作,并在卷积核区域并行计算以及输出,无需在相邻卷积核的重叠区域重新写入权重,降低电路功耗,提高帧率和运算效率。
技术研发人员:刘钢,金一凡,曾剑敏,史晓玲
受保护的技术使用者:上海交通大学
技术研发日:
技术公布日:2024/11/28
技术研发人员:刘钢,金一凡,曾剑敏,史晓玲
技术所有人:上海交通大学
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