二次电池及电子设备的制作方法

1.一种二次电池，包括层叠或者层叠并卷绕设置的正极极片、隔离膜以及负极极片，所述负极极片包括面向所述正极极片的负极活性物质层，所述正极极片包括面向所述负极活性物质层的正极活性物质层；所述二次电池还包括负极极耳，所述负极活性物质层设置有第一凹槽，所述负极极耳部分设置于所述第一凹槽，所述负极极耳的另一部分沿第一方向伸出所述负极极片，其特征在于，所述二次电池还包括第一胶层；

2.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，0.5≤l2/l1≤0.9。

3.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，3mm≤l2≤11mm。

4.根据权利要求3所述的二次电池，其特征在于，5mm≤l2≤9mm。

5.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，沿所述第一方向，所述第一胶层的宽度为w，所述第一凹槽的宽度为w1，1.06≤w/w1≤2。

6.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，沿所述第一方向，所述第一胶层的宽度为w，所述第一凹槽的宽度为w1，1.2≤w/w1≤1.5。

7.根据权利要求5所述的二次电池，其特征在于，16mm≤w≤30mmm。

8.根据权利要求7所述的二次电池，其特征在于，18mm≤w≤22.5mmm。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的二次电池，其特征在于，沿所述第二方向，所述第一部分包括相对设置的第一边沿和第二边沿，所述第一凹槽包括相对设置的第三边沿和第四边沿；所述第三边沿与所述第一边沿的延伸方向一致，所述第四边沿与所述第二边沿的延伸方向一致；

10.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，所述第一导离子层包括第一基材层和第一胶黏层，所述第一胶黏层设置于所述第一基材层的面向所述正极活性物质层的表面；

11.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，所述第一部分包括第二基材层和第二胶黏层，所述第二胶黏层设置于所述第二基材层的面向所述正极活性物质层的表面；

12.根据权利要求1至8中任一项所述的二次电池，其特征在于，所述第一导离子层的孔隙率为g1，20％≤g1≤60％。

13.根据权利要求1至8中任一项所述的二次电池，其特征在于，在所述负极极耳伸出方向的一侧，所述正极活性物质层具有边沿区域，所述第一胶层覆盖部分所述边沿区域。

14.根据权利要求1至8中任一项所述的二次电池，其特征在于，所述第一导离子层包括第一区域和第二区域，沿所述第二方向，所述第一区域位于所述第一部分与所述第二区域之间；

15.根据权利要求14所述的二次电池，其特征在于，沿所述第二方向，所述第一区域与所述第二区域的宽度相等。

16.根据权利要求1至8中任一项所述的二次电池，其特征在于，所述第一胶层还包括第二导离子层，沿所述第二方向，所述第二导离子层、所述第一部分以及所述第一导离子层依次设置，所述第二导离子层与所述第一部分相连接；

17.根据权利要求16所述的二次电池，其特征在于，0.5≤l3/l1≤0.9。

18.根据权利要求16所述的二次电池，其特征在于，3mm≤l3≤11mm。

19.根据权利要求18所述的二次电池，其特征在于，5mm≤l3≤10mm。

20.根据权利要求16所述的二次电池，其特征在于，所述第二导离子层包括第三区域和第四区域，沿所述第二方向，所述第四区域位于所述第一部分与所述第三区域之间；

21.根据权利要求20所述的二次电池，其特征在于，沿所述第二方向，所述第三区域与所述第四区域的宽度相等。

22.根据权利要求1至8中任一项所述的二次电池，其特征在于，沿所述第二方向，所述第一胶层包括依次设置的第二导离子层、第一部分以及第一导离子层，所述第二导离子层与所述第一部分相连接；

23.根据权利要求1至8中任一项所述的二次电池，其特征在于，沿所述第三方向，被所述第一胶层覆盖的所述正极活性物质层的厚度为h1，未被所述第一胶层覆盖的所述正极活性物质层的厚度为h2，h1＜h2。

24.根据权利要求23所述的二次电池，其特征在于，所述第一胶层的厚度为h3，h1+h3≤h2。

25.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至24中任一项所述的二次电池。